[发明专利]一种晶圆级封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆的表面上形成气体释放材料层；

提供第二晶圆，在所述第二晶圆的正面上形成有芯片；

将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面键合，并在所述第一晶圆和第二晶圆之间形成空腔，所述气体释放材料层和所述芯片均位于所述空腔内；

使所述气体释放材料层释放气体，以调节所述空腔内与外界的压力差，消除由于空腔内外的压力差导致的芯片变形对成像的影响；

减薄所述第二晶圆的背面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体释放材料层的材料包括丙烯酸聚合物、2-苄基-2-(二甲氨基)-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮、偶氮二甲酰胺或N,N-二亚硝基戊次甲基四胺。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过激光照射、加热和/或微波辐射使所述气体释放材料层释放气体。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光照射包括采用波长小于380nm的紫外光进行照射。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气体释放材料层的形成方式包括旋涂或喷涂。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯片的外侧采用键合胶将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面部分键合，所述第一晶圆、第二晶圆和所述键合胶围成所述空腔。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆包括玻璃晶圆。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶圆包括半导体晶圆。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片包括CIS芯片。

10.如权利要求1至9任一项所述的方法，其特征在于，所述气体释放材料层释放完所述气体之后，所述空腔的压力大于所述外界的大气压。

11.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆的表面上形成有气体释放材料层；

第二晶圆，所述第二晶圆的正面上形成有芯片；

所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面键合，在所述第一晶圆和第二晶圆之间形成有空腔，所述气体释放材料层和所述芯片均位于所述空腔内；

所述空腔中还包括所述气体释放材料层释放的气体，以调节所述空腔内与外界的压力差，消除由于空腔内外的压力差导致的芯片变形对成像的影响。

12.如权利要求11所述的晶圆级封装结构，其特征在于，在所述芯片的外侧采用键合胶将所述第一晶圆的所述表面与所述第二晶圆的正面部分键合，所述第一晶圆、第二晶圆和所述键合胶围成所述空腔。

13.如权利要求11所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一晶圆包括玻璃晶圆。

14.如权利要求11所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二晶圆包括半导体晶圆。

15.如权利要求11所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述芯片包括CIS芯片。

16.如权利要求11至15任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述气体释放材料层释放完所述气体之后，所述空腔的压力大于外界的大气压。

17.如权利要求11所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述气体释放材料层的材料包括丙烯酸聚合物、2-苄基-2-(二甲氨基)-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮、偶氮二甲酰胺或N,N-二亚硝基戊次甲基四胺。