[发明专利]一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器

权利要求书

1.一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，包括硅基底、不少于一个立体双层结构的热电偶、一种三层结构的自选频红外吸收器、接触高电极、接触低电极和二氧化硅薄膜。

2.如权利要求1所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，一种三层结构的自选频红外吸收器置于二氧化硅薄膜上，俯视形状为正方形，四边分别与多个立体双层结构的热电偶接触。

3.如权利要求1所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，每个立体双层结构的热电偶位于二氧化硅薄膜上，每个立体双层结构的热电偶之间有一条贯穿整个二氧化硅薄膜的缝隙；二氧化硅薄膜下的硅基底是一个空腔。

4.如权利要求1所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，所述一种三层结构的自选频红外吸收器，包括氮化钛纳米薄膜、介电层和高电导率金属反射层；介电层在高电导率金属反射层上，氮化钛纳米薄膜在介电层上。

5.如权利要求4所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，所述氮化钛纳米薄膜厚度为1nm，面电阻为189Ω/□；介电层的厚度对应的光程为所吸收的红外光波长的1/4。

6.如权利要求1所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，立体双层结构的热电偶包括n型多晶硅、p型多晶硅、第一金属导电片、第二金属导电片、第三导金属导电片、第四金属导电片、第五金属导电片、第六金属导电片和二氧化硅绝缘层。

7.如权利要求6所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，所述n型多晶硅和p型多晶硅均用二氧化硅绝缘层相隔离。

8.如权利要求6所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，所述在n型多晶硅和p型多晶硅的同一侧分别与第一金属导电片和第三金属导电片相连，另一侧分别与第二金属导电片和第四金属导电片相连；第一金属导电片和第三金属导电片用第五金属导电片相连；另一侧的第四金属导电片与第六金属导电片连接，引入到立体双层结构的热电偶的一侧。

9.如权利要求6所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，将多个立体双层结构的热电偶并排放置，通过串联方式构成一个热电堆。

10.如权利要求1或6所述的一种立体双层结构的热释电非制冷自选频红外探测器，其特征在于，两个立体双层结构的热电偶具体的串联方式为，将第一立体双层结构的热电偶的第六金属导电片与第二立体双层结构的热电偶的第二金属导电片接触；将第一立体双层结构的热电偶的第二金属导电片和第二立体双层结构的热电偶的第六金属导电片分别与接触高电极和接触低电极相连进行电压输出。