[发明专利]一种太赫兹超材料调制方法及其产品有效
| 申请号： | 201710568598.8 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107479215B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 余洪斌;冯楚桓;石樊;李琦;范甜甜;邵建;段田田;朱业锦 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 王世芳;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 材料 调制 方法 及其 产品 | ||
1.一种太赫兹超材料调制方法，其特征在于，首先，在PDMS材质的基底上制备周期性圆柱形空气腔，
接着，在空气腔上方设置柔性介质PDMS薄膜，PDMS薄膜上设置有超材料，
然后，加入外界压强，使空气腔上方的柔性介质PDMS薄膜发生凸起或凹陷，进而改变PDMS薄膜上超材料的几何参数，最终对入射太赫兹波的响应进行调制。
2.如权利要求1所述的太赫兹超材料调制方法，其特征在于，PDMS薄膜上超材料为任意导体或者半导体制备的二维周期阵列。
3.如权利要求1所述的太赫兹超材料调制方法，其特征在于，PDMS薄膜上超材料为金属金制备的二维周期阵列。
4.如权利要求2所述的太赫兹超材料调制方法，其特征在于，任意导体或者半导体制备的二维周期阵列与周期性圆柱形空气腔一一对应。
5.如权利要求3所述的太赫兹超材料调制方法，其特征在于，金属金制备的二维周期阵列与周期性圆柱形空气腔一一对应。
6.一种实现如权利要求1-5之一所述方法的一种太赫兹超材料调制装置，其特征在于，其包括超材料结构和PDMS基底，超材料结构设置在PDMS基底上，
所述超材料结构包括PDMS薄膜和设置在该PDMS薄膜的二维周期阵列，PDMS基底上设置有周 期性圆柱形空气腔，周期性圆柱形空气腔与二维周期阵列一一对应。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，超材料结构和PDMS基底通过键合的方式连接为一体。
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