[发明专利]高温静电卡盘有效
申请号: | 201710569034.6 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN109256357B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 李新颖;李冰;赵梦欣 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高温 静电 卡盘 | ||
1.一种高温静电卡盘,包括基座和设置于所述基座上方的卡盘主体,所述卡盘主体用于支撑晶片,所述卡盘主体的外侧环绕设置有压环和沉积环,所述压环用于对所述卡盘主体进行限位,所述沉积环位于所述压环的上方,其特征在于,所述压环开设有豁口,所述沉积环和/或所述基座在对应所述豁口的区域设置有接触脚,所述接触脚使得所述沉积环与所述基座直接接触,并使所述沉积环与所述压环在所述卡盘主体的轴向方向上具有安全距离。
2.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口和所述接触脚成对设置,所述豁口的形状和所述接触脚的形状匹配。
3.根据权利要求2所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口和所述接触脚包括多对,多对所述豁口和所述接触脚沿所述卡盘主体的周向均匀分布。
4.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口和所述接触脚均为环形,所述豁口的形状和所述接触脚的形状匹配。
5.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口开设于所述压环的径向外边缘;在所述沉积环的径向外边缘且对应所述豁口的区域设置有朝向所述基座的一侧延伸形成的所述接触脚,所述接触脚与所述基座直接接触。
6.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口开设于所述压环的径向外边缘;在所述基座的径向外边缘且对应所述豁口的区域设置有朝向所述沉积环的一侧延伸形成的所述接触脚,所述接触脚与所述沉积环直接接触。
7.根据权利要求1所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述豁口开设于所述压环的径向外边缘;在所述沉积环的径向外边缘且对应所述豁口的区域设置有朝向所述基座的一侧延伸形成的第一接触脚;在所述基座的径向外边缘且对应所述豁口的区域朝向所述沉积环的一侧延伸形成的第二接触脚;所述第一接触脚和所述第二接触脚直接接触。
8.根据权利要求1-7任一项所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述基座与所述沉积环通过所述接触脚直接接触的面位于同一水平面。
9.根据权利要求1-7任一项所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述接触脚的厚度大于所述压环的厚度。
10.根据权利要求1-7任一项所述的高温静电卡盘,其特征在于,所述接触脚与所述压环的外边缘相离设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710569034.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造