[发明专利]一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置及产生方法

权利要求书

1.一种低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，包括真空系统、等离子体发生系统和基座；

所述真空系统包括真空腔室、真空泵、真空蝶阀和真空规，所述真空腔室与真空泵通过真空蝶阀连接，真空规置于真空腔室外侧的侧壁上；

所述基座位于真空腔室内侧的底部；

所述等离子体发生系统包括上介质板、下介质板、低频交流电源、高频射频电源、上电极和下电极，所述下介质板置于基座上，所述上介质板嵌设在下介质板背离基座的一侧，所述上介质板与下介质板间包覆有下电极，所述上介质板背离下电极、且与下电极相对应处设置有上电极，所述上电极与上介质板之间设置有绝缘材料；所述低频交流电源与下电极连接，并提供低频交流功率，所述高频射频电源与下电极连接，并提供高频射频功率，上电极接地处理。

2.根据权利要求1所述低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，所述下介质板与基座中央配合的设置有用于穿设导线的通孔，所述导线用于连接高频射频电源和下电极。

3.根据权利要求1所述低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，所述上介质板与下介质板间包覆有下电极：所述上介质板为平板，所述下介质板中刻有两层凹槽，下层凹槽放置下电极，上层凹槽放置上介质板。

4.根据权利要求3所述低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，所述凹槽形状为矩形、多边形、圆形、椭圆形或跑道型中的一种。

5.根据权利要求1或3所述低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，所述上电极和下电极的形状为矩形、多边形、圆形、椭圆形或跑道型中的一种。

6.根据权利要求1或3所述低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，所述上电极的形状为网状电极，所述下电极为网状电极或平面电极。

7.根据权利要求6所述低气压大面积、高密度等离子体产生装置，其特征在于，所述网状电极的形状为六边形、圆形、矩形、菱形或不规则形状中的一种。

8.一种产生大面积、高密度等离子体的产生方法，其特征在于，包括：

施加低频交流功率到下电极；

施加高频射频功率到下电极；

上电极作接地处理；

等离子体由两个不同频率的电源共同驱动，其中低频交流电源产生等离子体，高频射频电源在其基础上产生高密度的等离子体。

9.根据权利要求8所述产生大面积、高密度等离子体的产生方法，其特征在于，所述低频交流频率小于等于10kHz。

10.根据权利要求8所述产生大面积、高密度等离子体的产生方法，其特征在于，所述高频射频频率大于等于13.56MHz。