[发明专利]互补金属氧化物半导体图像感测器及光二极管与形成方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体图像感测器的光二极管，包含：

具第二型的顶部光二极管，设于第一型层内；及

具第二型的底部光二极管，设于该第一型层内且位于该顶部光二极管之下，该底部光二极管包含至少一个具第二型的次光二极管连接至该顶部光二极管，且包含至少一个具第一型的次阱区被该次光二极管围绕，

其中该至少一个次阱区被环形的次光二极管围绕，并且

其中该至少一个次光二极管和该至少一个次阱区相对于该底部光二极管的中心点具对称性。

2.一种互补金属氧化物半导体图像感测器，包含：

基板；

具第二型的底部光二极管，设于该基板上，该底部光二极管包含至少一个具第二型的次光二极管；

至少一个具第一型的次阱区，设于该基板上且被该至少一个次光二极管围绕；

具第二型的顶部光二极管，设于该底部光二极管之上，该顶部光二极管连接至该至少一个次光二极管；

具第一型的传送栅通道，设于该顶部光二极管之上；

多个具第一型的像素阱，设于该基板上，相邻的像素阱之间定义一光二极管区域，其包含该顶部光二极管与该底部光二极管；及

隔离区，设于该基板之上且位于相邻像素之间，

其中该至少一个次阱区被环形的次光二极管围绕，并且

其中该至少一个次光二极管和该至少一个次阱区相对于该底部光二极管的中心点具对称性。

3.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体图像感测器，还包含：

传送栅，设于该传送栅通道之上且部分重叠于该传送栅通道；及

浮动扩散点，设于该像素阱的顶层部分，该浮动扩散点邻接于该传送栅通道。

4.根据权利要求3所述的互补金属氧化物半导体图像感测器，其中该传送栅的第一端部分重叠于该顶部光二极管，且该传送栅的第二端部分重叠于该浮动扩散点。

5.一种互补金属氧化物半导体图像感测器的形成方法，包含：

提供一基板；

形成具第一型的结晶层于该基板上；

形成一隔离区于该结晶层内，该隔离区位于相邻像素之间；

形成具第一型的传送栅通道于该结晶层的顶层部分；

形成具第二型的底部光二极管层于该结晶层的底层部分；

形成多个具第一型的像素阱于该结晶层内，相邻的像素阱之间定义一光二极管区域；

形成至少一个具第一型的次阱区于该底部光二极管层内，该底部光二极管层当中未形成有该次阱区的区域则形成至少一个次光二极管，作为该光二极管区域当中的底部光二极管，且该至少一个具第一型的次阱区被该次光二极管围绕；及

形成具第二型的顶部光二极管于该结晶层的顶层部分，该顶部光二极管与该底部光二极管共同组成该光二极管区域，

其中该至少一个次阱区被环形的次光二极管围绕，并且

其中该至少一个次光二极管和该至少一个次阱区相对于该底部光二极管的中心点具对称性。

6.根据权利要求5所述的互补金属氧化物半导体图像感测器的形成方法，还包含:

形成一传送栅于该结晶层之上，该传送栅部分重叠于该传送栅通道；及

形成一浮动扩散点于该像素阱的顶层部分，该浮动扩散点邻接于该传送栅通道。

7.根据权利要求6所述的互补金属氧化物半导体图像感测器的形成方法，其中该浮动扩散点是执行晶体管源极与漏极的注入制作工艺所形成。

8.根据权利要求6所述的互补金属氧化物半导体图像感测器的形成方法，其中该传送栅的第一端部分重叠于该顶部光二极管，且该传送栅的第二端部分重叠于该浮动扩散点。