[发明专利]比较器、电路装置、物理量传感器、电子设备以及移动体有效
申请号: | 201710569256.8 | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107659294B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 羽田秀生 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24;H03M1/50 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 电路 装置 物理量 传感器 电子设备 以及 移动 | ||
1.一种比较器,其特征在于,该比较器包括:
第1电压时间转换电路,其具有第1延迟电路,输入第1输入信号和第2输入信号;
第2电压时间转换电路,其具有第2延迟电路,输入所述第1输入信号和所述第2输入信号;以及
判定电路,其根据所述第1电压时间转换电路的输出信号和所述第2电压时间转换电路的输出信号,判定所述第1输入信号和所述第2输入信号的大小,
所述第1延迟电路具有的第1延迟单元具有:
第1下降沿延迟电路,其根据所述第1输入信号使所述第1延迟单元的输入信号的下降沿延迟;
第1上升沿延迟电路,其根据所述第2输入信号使所述第1延迟单元的输入信号的上升沿延迟;以及
第1输出电路,其根据所述第1下降沿延迟电路的输出信号和所述第1上升沿延迟电路的输出信号生成第1延迟输出信号,
所述第2延迟电路具有的第2延迟单元具有:
第2下降沿延迟电路,其根据所述第2输入信号使所述第2延迟单元的输入信号的下降沿延迟;
第2上升沿延迟电路,其根据所述第1输入信号使所述第2延迟单元的输入信号的上升沿延迟;以及
第2输出电路,其根据所述第2下降沿延迟电路的输出信号和所述第2上升沿延迟电路的输出信号生成第2延迟输出信号,
所述第1下降沿延迟电路具有:
第1延迟缓冲器,其输入所述第1延迟单元的输入信号;以及
第1第一导电类型晶体管,其设置在第1电源电压的节点与所述第1延迟缓冲器之间,其电流根据所述第1输入信号而受到控制,
所述第1上升沿延迟电路具有:
第2延迟缓冲器,其输入所述第1延迟单元的输入信号;以及
第1第二导电类型晶体管,其设置在第2电源电压的节点与所述第2延迟缓冲器之间,其电流根据所述第2输入信号而受到控制,
所述第2下降沿延迟电路具有:
第3延迟缓冲器,其输入所述第2延迟单元的输入信号;以及
第2第一导电类型晶体管,其设置在所述第1电源电压的节点与所述第3延迟缓冲器之间,其电流根据所述第2输入信号而受到控制,
所述第2上升沿延迟电路具有:
第4延迟缓冲器,其输入所述第2延迟单元的输入信号;以及
第2第二导电类型晶体管,其设置在所述第2电源电压的节点与所述第4延迟缓冲器之间,其电流根据所述第1输入信号而受到控制。
2.根据权利要求1所述的比较器,其特征在于,
所述第1输出电路具有:
第3第二导电类型晶体管,其设置在所述第1延迟单元的输出节点与所述第2电源电压的节点之间,该第3第二导电类型晶体管的栅极输入所述第1延迟缓冲器的输出信号;以及
第3第一导电类型晶体管,其设置在所述第1电源电压的节点与所述第1延迟单元的输出节点之间,该第3第一导电类型晶体管的栅极输入所述第2延迟缓冲器的输出信号,
所述第2输出电路具有:
第4第二导电类型晶体管,其设置在所述第2延迟单元的输出节点与所述第2电源电压的节点之间,该第4第二导电类型晶体管的栅极输入所述第3延迟缓冲器的输出信号;以及
第4第一导电类型晶体管,其设置在所述第1电源电压的节点与所述第2延迟单元的输出节点之间,该第4第一导电类型晶体管的栅极输入所述第4延迟缓冲器的输出信号。
3.根据权利要求1或2所述的比较器,其特征在于,
所述第1延迟缓冲器的延迟时间是根据流过所述第1第一导电类型晶体管的电流进行控制的,
所述第2延迟缓冲器的延迟时间是根据流过所述第1第二导电类型晶体管的电流进行控制的,
所述第3延迟缓冲器的延迟时间是根据流过所述第2第一导电类型晶体管的电流进行控制的,
所述第4延迟缓冲器的延迟时间是根据流过所述第2第二导电类型晶体管的电流进行控制的。
4.根据权利要求1或2所述的比较器,其特征在于,
所述第1延迟电路和所述第2延迟电路中的各延迟电路具有串联连接的多个延迟单元。
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