[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括：

第一步，依次沉积半导体层(2)和金属层(3)；

第二步，在所述金属层(3)上方涂布光阻层(4)；

第三步，对所述光阻层(4)进行曝光处理，图案化所述光阻层(4)，其中一部分形成薄光阻层(5)，其余部分形成厚光阻层或者无光阻层；

第四步，刻蚀所述金属层(3)和半导体层(2)，去除无光阻层覆盖的部分；

第五步，灰化所述光阻层，去除所述薄光阻层(5)，暴露出位于所述薄光阻层(5)下方的金属层；

第六步，刻蚀所述金属层，形成源极、漏极以及沟道区(6)，暴露出位于所述沟道区(6)的半导体层；

第七步，去除光阻层(4)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第四步是一次性的刻蚀所述金属层(3)和半导体层(2)。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第四步具体分为两步：

第一步，刻蚀所述金属层(3)，去除无光阻层覆盖的部分，使用湿刻或者湿刻加干刻；

第二步，刻蚀所述半导体层(2)，去除无光阻层覆盖的部分。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属层(3)为两层金属结构，底层材料的刻蚀率小于顶层材料的刻蚀率。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层(2)为IGZO半导体层或IGZTO半导体层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层(2)具有两层或两层以上结构。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层(2)是底层为IGZO材料、顶层为IGZTO材料的两层结构。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对于所述金属层(3)和半导体层(2)，从顶层材料的刻蚀率到底层材料的刻蚀率，其变化是由大至小单调递减的。

9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，选择含氟铜酸作为刻蚀剂。

10.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，选择无氟铜酸和草酸作为刻蚀剂或者选择无氟铜酸、氯气和草酸作为刻蚀剂。