[发明专利]像素单元、图像传感器、感测光信号的方法、操控像素单元的方法以及生成图像的方法有效
申请号: | 201710569830.X | 申请日: | 2017-07-13 |
公开(公告)号: | CN107623826B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | M·格泽;U·塞格 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H04N5/353 | 分类号: | H04N5/353;H04N5/355;H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 图像传感器 测光 信号 方法 操控 以及 生成 图像 | ||
1.一种用于图像传感器(100)的像素单元(102),其中,所述像素单元(102)具有以下特征:
用于将光信号(106)转换成处理信号(108)的光电二极管(104);
复用单元(110),所述复用单元构造用于在使用所述处理信号(108)的情况下产生至少一个第一复用信号(118)以及与所述第一复用信号(118)不同的第二复用信号(120);
存储装置(112),其具有用于缓存所述第一复用信号(118)的至少一个第一存储单元(114)和用于缓存所述第二复用信号(120)的时间限界的积分值的第二存储单元(116),
其中,所述复用单元(110)构造用于以第一放大因数放大所述处理信号(108)来产生所述第一复用信号(118)并且以第二放大因数放大所述处理信号(108)来产生所述第二复用信号(120),其中,所述第一放大因数和所述第二放大因数彼此不同。
2.根据权利要求1所述的像素单元(102),其中,所述复用单元(110)构造用于同时产生所述第一复用信号(118)和所述第二复用信号(120)。
3.根据权利要求1所述的像素单元(102),其中,所述复用单元(110)构造用于在第一时刻产生所述第一复用信号(118)并且在第二时刻产生所述第二复用信号(120)。
4.根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102),其中,所述光电二极管(104)、所述复用单元(110)和所述存储装置(112)彼此串联连接,其中,所述第一存储单元(114)和所述第二存储单元(116)彼此并联连接。
5.根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102),其具有用于同时读取所述第一存储单元(114)和所述第二存储单元(116)的读取接通部(126)。
6.根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102),其中,所述光电二极管(104)构造用于将连续的电流作为所述处理信号(108)提供给所述复用单元(110)。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的像素单元(102),其中,所述光电二极管(104)构造用于将具有时间表的时间离散的信号作为所述处理信号(108)提供给复用单元(110),并且所述复用单元(110)构造用于使用所述时间表来产生所述第一复用信号(118)和所述第二复用信号(120)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102),所述像素单元具有至少一个在所述光电二极管(104)与所述复用单元(110)之间连接的用于缓存所述处理信号(108)的附加存储单元(200),其中,所述复用单元(110)构造用于在使用在所述附加存储单元(200)中缓存的处理信号(108)的情况下产生所述第一复用信号(118)和/或所述第二复用信号(120)。
9.根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102),所述像素单元具有由第一半导体层(300)和第二半导体层(302)构成的层复合体,其中,所述光电二极管(104)布置在所述第一半导体层(300)中并且所述复用单元(110)和/或所述存储装置(112)布置在所述第二半导体层(302)中。
10.根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102),其中,所述复用单元(110)构造用于在使用所述处理信号(108)的情况下同时或在至少一个另外的时刻产生与所述第一复用信号(118)和/或所述第二复用信号(120)不同的至少一个另外的复用信号(124),其中,所述存储装置(112)具有用于缓存所述另外的复用信号(124)的时间限界的积分值的至少一个另外的存储单元(122)。
11.一种图像传感器(100),所述图像传感器具有根据上述权利要求中任一项所述的像素单元(102)。
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