[发明专利]一种电子束层覆诱导凝固技术高纯化制备镍基高温合金的方法有效

专利信息
申请号: 201710570742.1 申请日: 2017-07-13
公开(公告)号: CN107385244B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 谭毅;赵龙海;游小刚;尤启凡 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22B9/22
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李洪福
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子束 制备 镍基高温合金 凝固技术 铸锭 高纯化 熔炼 诱导 纯净度 电子束诱导 大型铸锭 宏观偏析 原料准备 工程化 冶金
【权利要求书】:

1.一种电子束层覆诱导凝固技术高纯化制备镍基高温合金的方法,其特征在于具有如下步骤:

S1、原料准备

将VIM熔炼所得镍基高温合金铸锭作为电子束熔炼的原料,将原料切割成一定厚度且尺寸契合水冷铜坩埚精炼区的片状原料,或将原料切割成丝状原料或块状原料;

若将原料切割成一定厚度且尺寸契合水冷铜坩埚精炼区的片状原料时,在进行熔炼之前将片状原料的表面进行打磨,去除片状原料表面的切割痕迹、油污、杂质及缺陷;之后以酒精为清洗剂,用超声清洗机将片状原料清洗干净;将第一层原料置于水冷铜坩埚精炼区中,其余片状原料置于加料机构上;

若将原料切割成丝状原料时,在进行熔炼之前去除丝状原料表面油污和其他杂物,之后以酒精为清洗剂,用超声清洗机将丝状原料清洗干净,加料时,将第一层原料置于水冷铜坩埚精炼区中,并覆盖水冷铜坩埚精炼区底面,其余丝状原料置于加料机构上;

若将原料切割成块状原料时,在进行熔炼之前去除块状原料表面的机加工痕迹、油污、杂质及缺陷,之后以酒精为清洗剂,用超声清洗机将块状原料清洗干净,加料时,将第一层原料置于水冷铜坩埚精炼区中,并覆盖水冷铜坩埚精炼区底面,其余块状原料置于加料机构上;

S2、熔炼前准备

原料准备完毕后,关闭炉门进行真空预抽,在熔炼室真空度≤10Pa时,停止抽真空并向熔炼室内通入氩气,对熔炼室进行洗气,之后再次进行真空预抽,当真空预抽完毕后对熔炼室抽高真空,进行熔炼操作之前,熔炼室真空条件要求满足:熔炼室真空度小于5×10-2Pa,电子束枪体真空度小于5×10-3Pa;

灯丝预热,预热时间为12min;

S3、电子束层覆熔炼

灯丝预热完毕后进行熔炼操作:以5~10mA/s速度缓慢增加束流至所定工艺参数;所述工艺参数:功率为9~15kW,熔炼时间为5~30min,束斑设定值为10×10,束斑大小为φ5mm~φ50mm;

当第一层熔炼完毕时,5min内缓慢降低束流至0,同时将束斑大小线性降低至最小,并通过控制束斑来诱导杂质收弧到水冷铜坩埚杂质收集区,之后,束斑回到水冷铜坩埚精炼区,再次以5~10mA/s速度缓慢增加束流至所定工艺参数,当第一层再次熔炼完毕时,5min内缓慢降低束流至0,同时将束斑大小线性降低至最小,并通过控制束斑来诱导杂质收弧到水冷铜坩埚杂质收集区,上述过程重复多次;

待第一层凝固后,通过加料机构将第二层原料加入到水冷铜坩埚中,通过拉锭机构调节其在水冷铜坩埚中的高度,之后进行第二层的熔炼;

当第二层熔炼完毕时,5min内缓慢降低束流至0,同时将束斑大小线性降低至最小,并通过控制束斑来诱导杂质收弧到水冷铜坩埚杂质收集区,之后,束斑回到水冷铜坩埚精炼区,再次以5~10mA/s速度缓慢增加束流至所定工艺参数,当第二层再次熔炼完毕时,5min内缓慢降低束流至0,同时将束斑大小线性降低至最小,并通过控制束斑来诱导杂质收弧到水冷铜坩埚杂质收集区,上述过程重复多次;

后续每层重复上述步骤,整个熔炼过程完成后,去除杂质富集区后可得到低偏析、高纯度高温合金铸锭。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述水冷铜坩埚包括第一环形坩埚壁和第二环形坩埚壁,所述第一环形坩埚壁的轴线与所述第二环形坩埚壁的轴线平行,所述第一环形坩埚壁的内壁所在圆柱面与所述第二环形坩埚壁的内壁所在圆柱面相割,所述第一环形坩埚壁的内壁所在圆柱面的半径大于所述第二环形坩埚壁的内壁所在圆柱面的直径,所述第一环形坩埚壁的底部设有与所述第一环形坩埚壁的内壁相匹配且可沿所述第一环形坩埚壁的轴线移动的第一环形坩埚底,所述第二环形坩埚壁的底部设有与所述第二环形坩埚壁的内壁相匹配且可沿所述第二环形坩埚壁的轴线移动的第二环形坩埚底,所述第一环形坩埚底的侧壁与所述第二环形坩埚底的侧壁固定连接;所述水冷铜坩埚精炼区位于所述第一环形坩埚壁和所述第一环形坩埚底所围空间内,所述水冷铜坩埚杂质收集区位于所述第二环形坩埚壁和所述第二环形坩埚底所围空间内。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述第一环形坩埚壁的内壁与所述第二环形坩埚壁的内壁的连接处分别设有圆弧过渡壁,所述第一环形坩埚底与所述第二环形坩埚底的连接处的侧壁与所述圆弧过渡壁相匹配。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710570742.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top