[发明专利]一种激光加工晶圆的控制方法及系统

说明书

本发明提供一种激光加工晶圆的控制方法及系统。所述方法包括：采集当激光对晶圆第一目标点曝光标记或刻蚀加工时晶圆加工平台在第一位置运行的实时三维位置信息；获取第二位置的目标三维位置信息并移动所述晶圆加工平台至第二位置；采集晶圆加工平台在第二位置的实时三维位置信息；根据第二位置的目标三维位置信息和实时三维位置信息确定激光偏移量；根据激光偏移量调控相控型硅基液晶对激光进行微位移并实现激光对晶圆第二目标点的刻蚀加工。本发明能够通过相控型硅基液晶对激光进行微位移，避免了由于晶圆加工平台的运行误差而导致对晶圆有效区域的损伤，提高了所述控制方法加工成品率、工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光加工晶圆的控制方法及系统。

背景技术

随着智能化的逐渐发展，对芯片制造和封测领域的要求日益增大，尤其是针对半导体、有机、无机等材料，在微米、纳米尺度范围内进行加工制造。

目前，在对90nm节点以下的晶圆进行切割时，基片上方一般覆盖Low-K材料，由于Low-K材料与基片衬底之间的粘附力不如介电常数的材料(如二氧化硅等)与基片衬底之间的粘附力，因此，在对覆盖有Low-K材料的晶圆进行切割形成凹槽时，会造成Low-K材料的粘连脱落从而降低芯片良率、甚至造成晶圆基片的碎片，其中，所述“凹槽”指代不穿透晶圆的基材并在其上表面形成凹槽。

同时，当采用激光对晶圆进行多次切割时，由于位移平台在运动过程中普遍存在移动的重复定位误差，导致无法对晶圆的目标位置进行精准切割，进而影响晶圆的加工成品率。

发明内容

本发明提供的激光加工晶圆的控制方法及系统能够通过相控型硅基液晶对激光光束进行微位移，避免了由于晶圆加工平台的运行误差而导致对晶圆有效区域的损伤，提高了所述控制方法加工成品率、工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。

第一方面，本发明提供一种激光加工晶圆的控制方法，包括：

采集当激光光束对晶圆第一目标点曝光标记或刻蚀加工时晶圆加工平台在第一位置运行的实时三维位置信息；

获取第二位置的目标三维位置信息并移动所述晶圆加工平台至第二位置；

采集晶圆加工平台在第二位置的实时三维位置信息；

根据第二位置的目标三维位置信息和实时三维位置信息确定激光偏移量；

根据激光偏移量调控相控型硅基液晶对激光光束进行微位移并实现激光光束对晶圆第二目标点的刻蚀加工。

可选地，所述根据激光偏移量调控相控型硅基液晶对激光光束进行微位移为根据偏移量是通过控制反射型液晶的相控型硅基液晶上的闪耀光栅周期用以实现对激光光束进行微位移。

可选地，在所述根据第二位置的目标三维位置信息和实时三维位置信息确定激光偏移量与所述根据激光偏移量调控相控型硅基液晶对激光光束进行微位移之间，还包括：

检测相控型硅基液晶的环境温度；

接收相控型硅基液晶的设定环境温度；

判断环境温度与设定环境温度是否一致，如果是，则保持所述环境温度；如果否，则调节至设定环境温度。

可选地，所述方法还包括：

实时检测激光光束的工作状态；

根据激光光束的工作状态判断激光光束是否处于异常状态，如果是，则停止工作；如果否，则执行下一步。

可选地，在采集当激光光束对晶圆第一目标点曝光标记或刻蚀加工时晶圆夹持平台在第一位置运行的实时三维位置信息之前，包括：

对激光光束依次进行分束处理、整形处理后形成具有设定图案分布的激光光斑。