[发明专利]一种LED面板及其制作方法

说明书

本发明公开了一种LED面板及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：在衬底上形成若干芯片半成品，芯片半成品中的P型电极为磁体，芯片半成品之间设有隔离槽；通过隔离槽湿法腐蚀芯片半成品，直到芯片半成品变成倒圆锥体与衬底分离；在基板上设置电极固定块，电极固定块远离基板的一端和对应的芯片半成品中P型电极远离P型氮化镓层的一端为异名磁极；将所有芯片半成品和基板放入同一溶液中，各个芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的电极固定块上；在各个芯片半成品上设置绝缘层；在绝缘层上设置N型电极连接线。本发明可以避免由于劈裂衬底分离芯片造成破片和发光层损伤，大大提高了产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED面板及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、亮度高和能耗小的特点，被广泛地应用在显示屏、背光源和照明领域。LED的核心组件是芯片，若干芯片整齐排列在基板上形成LED面板。

现有LED面板的制作方法包括：在衬底上依次形成缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层；在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的凹槽，在凹槽内的N型半导体层上形成延伸至衬底的隔离槽；在凹槽内的N型半导体层上形成N型电极，在P型半导体层上形成P型电极；将衬底粘附在蓝膜上，沿隔离槽的延伸方向劈裂衬底，形成若干相互独立的芯片；扩展蓝膜，将相互独立的芯片分离；将分离后的芯片分别固定在基板上，形成LED面板。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

微型发光二极管(英文简称：Micro LED)芯片是大小达到微米级的LED芯片，如果按照现有LED面板的制作方法处理Micro LED芯片，在劈裂衬底时容易造成破片和发光层损伤，产品良率太低，无法进行工业生产。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种LED面板及其制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种LED面板的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽；

通过所述隔离槽湿法腐蚀所述芯片半成品，直到所述芯片半成品变成倒圆锥体与所述衬底分离，所述芯片半成品中氮化铝缓冲层的腐蚀速率最快；

在基板上设置与所述芯片半成品一一对应的电极固定块，所述电极固定块为磁体，所述电极固定块远离所述基板的一端和对应的所述芯片半成品中所述P型电极远离所述P型氮化镓层的一端为异名磁极；

将所有所述芯片半成品和所述基板放入同一溶液中，各个所述芯片半成品的P型电极在磁力的作用下吸附在对应的所述电极固定块上；

在各个所述芯片半成品上设置从所述N型氮化镓层延伸至所述基板的绝缘层；

在所述绝缘层上设置N型电极连接线，所述N型电极连接线的两端分别与所述N型氮化镓层和所述基板连接。

可选地，所述在衬底上形成若干相互独立的芯片半成品，各个所述芯片半成品包括依次层叠在所述衬底上的氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层和P型电极，所述P型电极为磁体，相邻两个所述芯片半成品之间设有从所述P型电极延伸至所述衬底的隔离槽，包括：

采用金属有机化合物化学气相沉淀技术在衬底上依次生长氮化铝缓冲层、N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层；

采用光刻技术在所述P型氮化镓层上形成第一图形的光刻胶；