[发明专利]氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法。

背景技术

有机发光元件(organic light emitting diode)作为自发光型元件，其视角宽阔，而且对比度优良，不仅如此，响应时间也快，它的亮度、驱动电压及响应速度特性亦优良，并具有可实现多色化的优点。

所述有机发光元件可具有在基板的上部依次层叠第一电极、有机层以及第二电极的结构。所述有机发光元件的层叠结构可通过利用掩膜的沉积方法而形成。即，所述有机层的微细图案可通过使用到金属掩膜的沉积方法形成，例如可以使用精细金属掩膜(Fine Metal Mask；FMM)。然而，第一电极和第二电极无需形成微细图案，因此可通过利用到开放掩膜(Open Mask)的沉积方法形成。

通常，所述精细金属掩膜可通过应用湿式蚀刻工艺或激光照射工艺而对掩膜基材(base material)进行加工而形成，掩膜在沉积工艺中可能成为使污染物质进入的媒介，因此必须进行掩膜的洗涤。此时，对于所述湿式蚀刻工艺而言，可利用蒸馏水或酒精等现有的洗涤液冲洗所述掩膜基材而去除杂质。

然而，对于使用激光照射工艺而加工掩膜基材的情形而言，激光照射时自然形成的氧化物不会被现有的洗涤剂所洗净，因此存在氧化物原封不动地残留于掩膜基材的问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提供如下的氧化物去除用洗涤组合物，其可以不损伤掩膜基材，并选择性去除形成于掩膜基材的表面上的氧化物，且可以抑制所述氧化膜下部的金属膜的腐蚀。

本发明的另一目的在于提供一种利用上述氧化物去除用洗涤组合物的洗涤方法。

根据一方面，提供一种氧化物去除用洗涤组合物，包含：二羧酸化合物；含硫化合物；有机胺化合物；以及水。

根据另一方面，提供一种洗涤方法，包括如下步骤：准备具有氧化物的掩膜基材(base material)；第一洗涤步骤，通过使如上所述的氧化物去除用洗涤组合物接触到所述掩膜基材而去除所述掩膜基材中的氧化物。

对于所述氧化物去除用洗涤组合物及利用该组合物的洗涤方法而言，可以在不损伤掩膜基材的前提下选择性去除掩膜基材的表面上形成的氧化物，且可以抑制下部金属膜的腐蚀。

附图说明

图1为表示去除氧化物之前的被照射激光的Invar棒表面的SEM照片。

图2为表示通过利用制造例1的氧化物去除用洗涤组合物而浸泡(dipping)1小时之后的Invar棒的表面的SEM照片。

图3为表示通过利用制造例1的氧化物去除用洗涤组合物而浸泡2小时，并基于实施例1而洗涤完毕之后的Invar棒的表面的SEM照片。

具体实施方式

以下，参考附图而详细说明根据本发明的实施例的氧化物去除用洗涤组合物及利用到该组合物的洗涤方法。然而，本发明并不局限于如下的实施例，可在不脱离本发明的技术思想的范围内实现为其他多样的形态。

本说明书中，术语“包括”或“具有”等表示本说明书中记载的特征或构成要素的存在性，其并非意图预先排除附加一个以上的其他特征或构成要素的可能性。

以下，对根据本发明的实现例的氧化物去除用洗涤组合物及利用到该组合物的洗涤方法进行详细说明。

根据本发明的一实现例的所述氧化物去除用洗涤组合物包含：二羧酸化合物、含硫化合物、有机胺化合物以及水。

所述氧化物去除用洗涤组合物中，所述二羧酸化合物与后述的氧化物发生反应，从而可以提供洗涤氧化物的效果。例如，2个羧基可贴附于包含氧化物的氧化膜的表面，从而去除氧化膜。

所述二羧酸化合物表示具有2个羧基(-COOH)的有机酸。根据一实现例，所述二羧酸化合物可包括草酸，然而并不局限于此。所述二羧酸化合物包括2个羧基，因此可以提高氧化物的洗涤效果。

所述二羧酸化合物可以以足以选择性地去除氧化物的程度而被使用。例如，所述二羧酸化合物的含量可如下：以所述氧化物去除用洗涤组合物100重量％为基准，被包含0.01重量％至1重量％。具体而言，可被包含0.02重量％至0.7重量％。更加具体地，可处于0.02重量％至0.5重量％的范围内。

如果所述二羧酸化合物处于上述范围之内，则所述氧化物去除用洗涤组合物不会引起基材的损坏，并可具有优秀的洗涤能力。

所述氧化物去除用洗涤组合物中，所述含硫化合物在去除氧化膜之后起到抑制存在于下部的金属膜的腐蚀的作用。