[发明专利]一种掺铟锑氧化锡纳米粉体及其制备方法有效
申请号: | 201710575272.8 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107188225B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 孙仲毅 | 申请(专利权)人: | 广东拓扑中润科技发展有限公司 |
主分类号: | C01G30/00 | 分类号: | C01G30/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 姜华 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺铟锑 氧化 纳米 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及透明隔热导电纳米材料技术领域,具体涉及一种掺铟锑氧化锡纳米粉体及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:(1)将锑盐、锡盐和铟盐混合后溶于酸性溶液中,得溶液A;将碱性沉淀剂和表面活性剂依次溶于去离子水中,得溶液B;(2)在搅拌状态下将溶液A加入溶液B中,反应结束后,陈化,得溶液C;(3)将溶液C离心分离,将分离得到的沉淀进行洗涤、烘干、研磨、烧结处理,得掺铟锑氧化锡纳米粉体。本发明的制备方法,工艺简单、安全、反应条件温和、制备成本低、易于实现工业化生产,并且很大程度的改善了纳米粉体在生产过程中易团聚的问题。本发明制得的掺铟锑氧化锡纳米粉体的粒径小,粒径分布窄,团聚少,具有广泛的应用价值。
技术领域
本发明涉及透明隔热导电纳米材料技术领域,具体涉及一种掺铟锑氧化锡纳米粉体及其制备方法。
背景技术
锑掺杂氧化锡、锡掺杂氧化铟、铟锑掺杂氧化锡都是N型半导体材料。这类材料的纳米级粉体具有特异的光学性能和电学性能,是一种具有极大发展潜力的新型多功能透明导电材料(TransparentConductiveOxides),通常把这种材料称为TCOs材料。TCOs材料在可见光波长范围有着很好的透射率,还具备导电性。因此TCOs薄膜和涂层在高科技领域有着很广泛的应用,它比传统导电材料和抗静电材料有更强的优势。TCOs材料的导电性能高,当加入量很少的时候,它就会使塑料、涂料、纤维等具有抗静电的功能。TCOs材料的光学性能好,具有浅色透明性,此材料制备出来的薄膜在可见光范围具备很好的光透射性,并且对紫外线和红外线具有良好的吸收和反射性能,从而阻止紫外线和红外线透过,因此其薄膜具备隔热保温和抗辐射性能,并且其材料强度受光影响较小,因而建筑用低辐射玻璃、红外吸收隔热材料常常需要用到此材料。TCOs材料的稳定性和耐候性能也很好,常被用于抗静电材料的制备,气候和使用环境对它的影响很小,并且耐酸碱。TCOs材料具备防辐射性能,根据这个性能此材料被用来制备计算机机房,雷达的屏蔽保护区,防电磁干扰的透明窗。
现有技术中,通常采用二元体系生产TCOs材料,二元体系中为了解决不同金属盐及其水解产物溶解度不一致的问题和为了控制粉体的尺寸大小通常采取的方法为双料滴加并控制PH值,但是这种制备工艺复杂不易放大、制备成本高,另外在使用三元体系生产TCOs材料时,由于三元体系物质比二元体系的物质更多,其溶解度差异也就更大,并且同时满足三种金属盐和三种氢氧化物的溶解度变化也是一个很大的难题。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种掺铟锑氧化锡纳米粉体的制备方法,该制备方法工艺简单,安全,反应条件温和,制备成本低,很大程度的改善了纳米粉体在生产中易团聚的问题,易于放大、能够实现工业化生产。
本发明的另一目的在于提供一种掺铟锑氧化锡纳米粉体,该掺铟锑氧化锡纳米粉体粒径小,粒径分布窄,粉体团聚少,具有广泛的应用价值。
本发明的目的通过下述技术方案实现:一种掺铟锑氧化锡纳米粉体的制备方法,包括如下步骤:
(1)将锑盐、锡盐和铟盐混合后溶于酸性溶液中,得溶液A;将碱性沉淀剂和表面活性剂依次溶于去离子水中,得溶液B;
(2)在搅拌状态下将溶液A加入溶液B中,反应结束后,陈化,得溶液C;
(3)将溶液C离心分离,将分离得到的沉淀进行洗涤、烘干、研磨、烧结处理,得掺铟锑氧化锡纳米粉体。
本发明的制备方法利用酸溶液溶解锑盐、锡盐和铟盐,然后与碱性沉淀剂发生共沉淀反应,将分离得到的沉淀进行洗涤、烘干、研磨、烧结处理,得到掺铟锑氧化锡纳米粉体,工艺简单,安全,反应条件温和,制备成本低,很大程度的改善了纳米粉体在生产中易团聚的问题,易于放大、能够实现工业化生产。
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