[发明专利]基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201710575821.1 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107316943B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 梁凤霞;王九镇;梁林;童小伟;王迪;罗林保 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 碘铅铯甲脒 薄膜 宽波带 超高速 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.基于碘铅铯甲脒薄膜的宽波带光电探测器,其特征在于:所述光电探测器是在绝缘玻璃的上表面设置有FA0.85Cs0.15PbI3薄膜,在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上设置有一对与所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈欧姆接触的金薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的宽波带光电探测器,其特征在于:所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜为n-型钙钛矿材料。
3.根据权利要求1所述的宽波带光电探测器,其特征在于:所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜是由PbI2、CsI和甲脒氢碘酸盐FAI溶于DMSO和DMF中形成的前驱体溶液,在绝缘玻璃的上表面旋涂成膜获得。
4.根据权利要求1或3所述的宽波带光电探测器,其特征在于:所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜的厚度在150~200nm之间。
5.根据权利要求1所述的宽波带光电探测器,其特征在于:所述金薄膜电极的厚度在50~100nm。
6.一种权利要求1~5中任意一项所述的宽波带光电探测器的制备方法,其特征是按如下步骤进行:
(1)将绝缘玻璃依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗,再经氮气吹干;然后放入等离子清洗机中,以氧气作为工作气体进行等离子清洗,备用;
(2)在玻璃瓶中依次加入0.461g的PbI2、0.0389g的CsI和0.145g的甲脒氢碘酸盐FAI,然后加入0.2mL的DMSO和0.8mL的DMF,最后密封并在70℃加热搅拌1小时,获得前驱体溶液;
(3)将清洗后的绝缘玻璃放置到离心机上,将0.1mL的前躯体溶液滴于绝缘玻璃的上表面,然后以3000转/分钟的转速离心1分钟,并在离心开始10秒时在绝缘玻璃的上表面再滴加0.5mL的乙酸乙酯作为反溶剂以提高成膜质量;离心后将样片放置在加热板上140℃退火20分钟,然后冷却至室温,即在绝缘玻璃的上表面形成FA0.85Cs0.15PbI3薄膜;
(4)在所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上覆盖掩膜版,然后通过电子束镀膜在FA0.85Cs0.15PbI3薄膜上蒸镀金薄膜,形成一对与所述FA0.85Cs0.15PbI3薄膜呈欧姆接触的金薄膜电极,即完成宽波带光电探测器的制备。
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