[发明专利]高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法

权利要求书

1.一种高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其包括如下步骤：

提供衬底，在所述衬底表面形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成第一多晶硅层，以及在所述第一多晶硅表面形成第一TEOS层；

利用第一光刻胶刻蚀所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层形成贯穿所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层的基区沟槽；

对所述第一多晶硅层进行退火扩散从而在所述第一P型多晶硅层下方的N型外延层形成P型扩散区域，利用所述基区沟槽对所述N型外延层进行基区掺杂形成所述基区；

在所述基区上、所述基区沟槽中、所述第一多晶硅层及所述第一TEOS层上依序形成第二多晶硅层及所述第二TEOS层；

干法回刻所述第二多晶硅层，使得位于所述基区沟槽两侧的所述第二TEOS层上形成多晶硅侧墙；及

湿法腐蚀所述第二TEOS层去除所述第一TEOS层上以及所述基区上中间部分的第二TEOS层，而所述多晶硅侧墙接触的第二TEOS层被保留，所述被保留的第二TEOS层作为所述基极与发射极之间侧墙。

2.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基区、所述多晶硅侧墙、所述基极与发射极之间侧墙及所述第一TEOS层上形成第三多晶硅层。

3.如权利要求2所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述第三多晶硅层进行刻蚀，从而将所述第一TEOS层上的部分第三多晶硅层去除，而剩余的所述第三多晶硅层覆盖所述多晶硅侧墙、所述基极与发射极之间侧墙及邻近所述基极与发射极之间侧墙的部分第一TEOS层上。

4.如权利要求3所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

对第三多晶硅进行砷掺杂及退火工艺从而在所述基区表面形成发射区。

5.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述第二多晶硅的厚度在2000埃至4000埃的范围内。

6.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述第二TEOS层的厚度在300埃至800埃的范围内。

7.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，干法回刻所述第二多晶硅层的步骤中是采用化学性刻蚀回刻所述第二多晶硅层。

8.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，湿法腐蚀所述第二TEOS层的步骤中采用的腐蚀溶液为1:50的DHF溶液。

9.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述多晶硅侧墙在所述基区的投影完全覆盖所述所述基极与发射极之间侧墙。

10.如权利要求1所述的高频三极管基极与发射极之间侧墙的制作方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述第一多晶硅层为P型多晶硅。