[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

延迟码确定单元，其被配置成使用在参考时间内生成的内部时钟输出反映所述半导体存储器装置的工艺、电压和温度条件即PVT条件的最终延迟调整码；以及

延迟电路，其被配置成响应于所述最终延迟调整码将数据线的延迟反映在时钟信号上，

其中所述延迟码确定单元包括：

振荡器，其被配置成响应于控制信号输出所述内部时钟；

时钟计数单元，其被配置成对所述内部时钟的上升沿或下降沿计数并输出状态值，并且

其中所述延迟码确定单元被配置成基于所述状态值确定所述最终延迟调整码。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述延迟码确定单元进一步包括：

PVT角计算单元，其被配置成使用所述状态值输出反映所述半导体存储器装置的PVT条件的PVT角值；以及

延迟码输出单元，其被配置成响应于所述PVT角值将多个延迟调整码中的一个输出作为所述最终延迟调整码。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中在电力被供应至所述半导体存储器装置并且执行初始操作后，在所述参考时间内输入所述控制信号。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中随着所述半导体存储器装置的PVT角靠近慢角，所述状态值减小。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述PVT角计算单元基于所述状态值根据所述半导体存储器装置的PVT条件的变化，计算所述PVT角值。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述参考时间被确定为具有对应于参考时钟的周期的n倍的长度，n为正整数。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中当电力被供应时，响应于从内容可寻址存储块即CAM块读取的调整码生成所述参考时钟。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述参考时间是对应于所述半导体存储器装置中包括的参考时钟的周期的十倍的时间。

9.一种半导体存储器装置的操作方法，其包括：

在参考时间内生成内部时钟，并基于所述内部时钟确定反映所述半导体存储器装置的工艺、电压以及温度条件即PVT条件的最终延迟调整码；以及

生成延迟的时钟信号，其通过基于所述最终延迟调整码将外部时钟延迟数据线的延迟而获得，

其中所述最终延迟调整码的确定包括：

响应于控制信号生成所述内部时钟；

生成通过对所述内部时钟的上升沿或下降沿计数而获得的状态值；以及

基于所述状态值确定所述最终延迟调整码。

10.根据权利要求9所述的方法，其中基于所述状态值确定所述最终延迟调整码包括：

使用所述状态值计算反映所述半导体存储器装置的PVT条件的PVT角值；以及

响应于所述PVT角值将多个延迟调整码中的一个输出作为所述最终延迟调整码。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述计算包括：基于所述状态值根据所述半导体存储器装置的PVT条件的变化，计算所述PVT角值。

12.根据权利要求9所述的方法，其中随着所述半导体存储器装置的PVT角靠近慢角，所述状态值减小。

13.根据权利要求9所述的方法，其中在电力被供应到所述半导体存储器装置并且执行初始操作后，在所述参考时间内输入所述控制信号。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述参考时间被确定为具有对应于参考时钟的周期的n倍的长度，n为正整数。