[发明专利]磁敏相控阵探测组件及方法有效
申请号: | 201710577140.9 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107219297B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 闫爱军;郭俊文;马剑民;梁法光;都劲松;刘孝国;寇水潮 | 申请(专利权)人: | 西安热工研究院有限公司 |
主分类号: | G01N27/72 | 分类号: | G01N27/72;G01N27/82;G01B7/02;G01B7/06 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李宏德 |
地址: | 710032 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 相控阵 探测 组件 方法 | ||
本发明公开了一种磁敏相控阵探测组件及方法。该组件包括磁敏相控阵探头和电磁相控阵激励源;电磁相控阵激励源通过电磁元件生成激励磁场并施加到测试物体中进行磁化;激励磁场通过电磁元件的组合变化在测试物体中移动;磁敏相控阵探头通过磁敏元件探测测试物体内的磁化磁场。所述探测方法包括:将磁敏相控阵探测组件定位在测试物体的外围表面附近;将产生的激励磁场施加到测试物体中进行磁化,并使该激励磁场在测试物体内移动;通过磁敏相控阵探头测定磁化磁场变化来探测测试物体特征。本发明通过电磁相控阵激励源实现产生的激励磁场施加在测试物体上,通过组合控制使得激励磁场在测试物体中移动,实现对磁化磁场的探测。
技术领域
本发明涉及无损检测技术领域,具体为磁敏相控阵探测组件及方法。
背景技术
磁敏探测组件是已知的并用在许多不同应用中。磁敏探测组件用来例如检查测试物体并且探测或鉴别测试物体的特性,例如,腐蚀、空洞、包含物、长度、厚度等。通常使用单个或单组探头,为了精确地探测这些特征在测试物体内的位置,可以使用单探头多次多角度测量或者多个探头或联合其他的无损检测方法。多次测试运行耗费时间并导致生产率降低。不仅如此,而且,联合其他的无损检测或同时使用多个探头,使得检测的难度增加、成本上升、并且耗费时间。
火力发电厂运行过程中,在过热器和再热器内经常产生大量的氧化皮,随着厚度的增加和机组负荷的变化,内壁的氧化皮会从管道内壁脱落,一部分随蒸汽流出,一部分堆积在过热器和再热器的下弯头;当堆积量达到一定程度时,使管道内蒸汽减小,管道壁温升高,加剧了管道内壁氧化皮的生成;当超温到一定程度时,有可能导致爆管事故发生。为了减少氧化皮剥落引起的爆管事故,常常在停机时采用无损检测的方法,检测过热器和再热器下弯头沉积的氧化皮的量。
通常采用的无损检测的方法有:射线成像法检测结果直观,而且仪器价格昂贵,工作效率低,射线辐射对人体有损害,使得射线检测受到一定限制;割管内窥镜法检测结果准确,但工作量大、检测周期长、人力物力耗费大;超声波、磁场检测方法检测迅速、工作量小。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种磁敏相控阵探测组件及方法,能够发射多个不同角度下的磁场来探测测试物体内的特征,以更精确的方式移动磁场,获得准确的待测试物体的特性。
本发明是通过以下技术方案来实现:
磁敏相控阵探测组件,包括分别定位在测试物体外围表面附近的磁敏相控阵探头和电磁相控阵激励源;
所述的电磁相控阵激励源包括若干电磁元件,电磁相控阵激励源通过电磁元件生成激励磁场并施加到测试物体中进行磁化;激励磁场通过电磁元件的组合变化在测试物体中移动;
所述磁敏相控阵探头包括若干磁敏元件,磁敏相控阵探头通过磁敏元件探测测试物体内的磁化磁场。
优选的,所述的电磁相控阵激励源中的若干电磁元件设置为平面阵或共形阵或线性地分段。
优选的,所述磁敏相控阵探头的若干磁敏元件设置为平面阵或共形阵或线性地分段。
优选的,所述磁敏元件采用磁敏电阻、霍尔元件、磁敏二极管或感应线圈。
优选的,磁敏相控阵探头和电磁相控阵激励源以测试物体为轴呈相向分开独立布置,或者面对测试物体呈电磁元件和磁敏元件的交错同向一体布置。
优选的,所述磁敏相控阵探头在激励磁场移动时固定定位在测试物体的外围表面附近。
基于上述任意一磁敏相控阵探测组件的磁敏相控阵探测方法,其特征在于,包括如下步骤,
将磁敏相控阵探测组件定位在测试物体的外围表面附近;
将从电磁相控阵激励源产生的激励磁场施加到测试物体中进行磁化,并使该激励磁场在测试物体内移动;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安热工研究院有限公司,未经西安热工研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710577140.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。