[发明专利]高频三极管及其制作方法

权利要求书

1.一种高频三极管，其特征在于，所述高频三极管包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延层、形成于所述P型衬底与所述N型外延层之间的N型埋层、贯穿所述N型外延层与所述N型埋层的引出沟槽、位于所述引出沟槽中的集电极引出结构、连接所述集电极引出结构的集电极、形成于所述N型外延层表面的基区、形成于所述基区表面的发射区、连接所述发射区的发射极、及连接所述基区的基极，所述集电极引出结构包括位于所述引出沟槽内壁的低磷扩散低阻层及位于所述引出沟槽中所述低磷扩散低阻层内侧的第一多晶硅，所述第一多晶硅为高浓P掺杂的低阻多晶硅。

2.如权利要求1所述的高频三极管，其特征在于，所述高频三极管还包括贯穿所述N型外延层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽、形成于所述N型外延层上及所述隔离沟槽内壁的氧化层、形成于所述隔离沟槽中的氧化层上的第二多晶硅、及形成于所述氧化层及所述第二多晶硅上的介质层。

3.如权利要求2所述的高频三极管，其特征在于，所述氧化层及所述介质层还包括贯穿的第一通孔、第二通孔及第三通孔，所述发射极通过所述第一通孔连接所述发射区，所述基极通过所述第二通孔连接所述基区，所述集电极通过所述第三通孔连接所述集电极引出结构。

4.如权利要求3所述的高频三极管，其特征在于，所述集电极通过所述第三通孔连接所述第一多晶硅。

5.如权利要求3所述的高频三极管，其特征在于，所述发射极包括第三多晶硅及金属层，所述第三多晶硅位于所述第一通孔中及邻近所述第一通孔的介质层表面，所述金属层位于第三多晶硅上。

6.一种高频三极管的制作方法，其包括如下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述P型衬底及N型埋层上形成N型外延层；

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽及贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的引出沟槽，在所述N型外延层表面、所述隔离沟槽及所述引出沟槽表面形成氧化层；

利用第一光刻胶作为掩膜刻蚀所述氧化层去除所述引出沟槽表面的氧化层；

去除第一光刻胶，在所述氧化层表面及所述引出沟槽中形成多晶硅层；

干法回刻所述多晶硅层从而去除所述N型外延层上方的氧化层上的多晶硅，所述引出沟槽及所述隔离沟槽中的多晶硅被保留；

采用推阱工艺使得所述引出沟槽中的多晶硅向所述N型埋层、所述P型衬底及所述N型外延层扩散从而在所述引出沟槽中的多晶硅外侧形成低磷扩散低阻层，所述低磷扩散低阻层与所述引出沟槽中的多晶硅构成集电极引出结构；

形成位于所述N型外延层表面的基区、及位于所述基区表面的发射区；及

形成连接所述发射区的发射极、连接所述基区的基极、及连接所述集电极引出结构的集电极。

7.如权利要求6所述的高频三极管的制作方法，其特征在于，所述方法中，所述推阱工艺的温度在1050至1100摄氏度的范围内，所述推阱工艺的时间小于等于1小时。

8.如权利要求6所述的高频三极管的制作方法，其特征在于，采用推阱工艺使得所述引出沟槽中的多晶硅向所述N型埋层、所述P型衬底及所述N型外延层扩散从而在所述引出沟槽中的多晶硅外侧形成低磷扩散低阻层的步骤中，所述扩散的深度小于等于1um。

9.如权利要求6所述的高频三极管的制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度在300埃至1000埃的范围内。

10.如权利要求6所述的高频三极管的制作方法，其特征在于，所述利用第一光刻胶作为掩膜刻蚀所述氧化层去除所述引出沟槽表面的氧化层的步骤中，所述第一光刻胶中具有对应所述引出沟槽的刻蚀沟槽，所述刻蚀沟槽的尺寸大于所述引出沟槽的尺寸。