[发明专利]一种脉冲激光发射电路

权利要求书

1.一种脉冲激光发射电路，其特征在于，包括高压发生电路以及激光发射驱动电路，高压发生电路为驱动电路提供高压，驱动电路发射激光；

高压发生电路包括升压控制器(U1)、第一电阻(R1)、第三电容(C3)、第五电容(C5)、第二电阻(R2)、滑动变阻器(Rf1)、第三电阻(R3)、第四电容(C4)、第六电容(C6)、第四电阻(R4)、第一开关MOS芯片(Q1)、第一电感(L1)、第一二极管(D1)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)；其中，升压控制器(U1)的电源管脚(VIN)与外部电压源连接，同时与第一电容(C1)、第二电容(C2)、第四电容(C4)以及电感(L1)的第一端连接，第一电容(C1)、第二电容(C2)、第四电容(C4)的第二端接地；升压控制器(U1)电流采样输入管脚(ISEN)与第四电阻(R4)和第六电容(C6)的第一端以及第一开关MOS芯片(Q1)的源极连接，第四电阻(R4)和第六电容(C6)的二端接地；升压控制器(U1)的频率补偿管脚(COMP)与第三电容(C3)的第一端连接，第三电容(C3)的第二端与第一电阻(R1)的第一端连接，第一电阻(R1)的第二端接地；升压控制器(U1)的反馈管脚(FB)与第二电阻(R2)第一端连接以及滑动变阻器(Rf1)的滑动端连接，滑动变阻器(Rf1)的一固定端接第五电阻(R5)的第二端，升压控制器(U1)的反馈管脚(FB)同时接第五电容(C5)的第一端，第二电阻(R2)和第五电容(C5)的第二端均接地；升压控制器(U1)的模拟地管脚(AGND)和升压控制器(U1)的数字地管脚(PGND)直接接地；升压控制器(U1)的输出驱动管脚(DR)与第一开关MOS芯片(Q1)的栅极相连；升压控制器(U1)的频率调节管脚(FA/SD)接第三电阻(R3)的第一端，第三电阻(R3)的第二端接地；第一MOS芯片(Q1)的漏极接第一二极管(D1)的正极以及电感(L1)的第二端；第一二极管(D1)的负极与第五电阻(R5)的第一端连接后输出高压，输出高压存储于后接储能电容。

2.如权利要求1所述脉冲激光发射电路，其特征在于，所述高压发生电路在PCB版实现，第五电阻(R5)位于电路板底层(bottom layer)，其他元器件位于电路板顶层(Top Layer)。

3.如权利要求1所述脉冲激光发射电路，其特征在于，驱动电路包括电流放大芯片(U2)、第二开关MOS管芯片(Q2)、激光二极管(D2)、第十电容(C10)、第十一电容(C11)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第十二电容(C12)；其中，电流放大芯片(U2)两个电源管脚VS相连后与外部电压源连接；电流放大芯片(U2)的信号输入端管脚(IN)接脉冲驱动信号，电流放大芯片(U2)的接地脚GND与地连接，电流放大芯片(U2)的两个输出脚OUT相连并接第六电阻(R6)的第一端；第六电阻(R6)第二端与第二开关MOS管芯片(Q2)的栅极相连，第二开关MOS管芯片(Q2)的漏极与第七电阻(R7)的第二端和第十二电容(C12)的第一端连接，第二开关MOS管芯片(Q2)的源极接地；第七电阻(R7)的第一端与高压源相连；第十电容(C10)与第十一电容(C11)并联后其第一端接输入电源，第二端接地；第十二电容(C12)的第二端与激光二极管(D2)的负极相连，激光二极管(D2)正极接地。

4.如权利要求3所述脉冲激光发射电路，其特征在于，所述驱动电路在PCB版中实现，第七电阻(R7)、第十电容(C10)、第十一电容(C11)放置在电路板的底层(Bottom Layer)，开关MOS管芯片(Q2)、第六电阻(R6)、激光二极管(D2)、电流放大芯片(U2)放在电路板的顶层(Top Layer)。