[发明专利]磁性材料及使用磁性材料的用于发送数据的装置在审
申请号: | 201710579949.5 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107665767A | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 张宰赫;金熙胜;李炫姃;元载善;赵中英;宋荣换;卢永昇 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01F38/14 | 分类号: | H01F38/14;H01F27/24;H01F1/147;H04B5/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 包国菊,刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性材料 使用 用于 发送 数据 装置 | ||
本申请要求于2016年7月29日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0097346号以及于2016年10月31日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0143452号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用全部被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种磁性材料和使用磁性材料的用于发送数据的装置。
背景技术
无线通信已被用于各种目的。近来,已经开发了用于将数据无线地发送到通信目标的范围的各种类型的技术。技术包括无线通信线圈,而目标包括诸如智能手机的移动电子设备。然而,在如上所述的用于无线地发送数据的技术的情况下,发送数据所消耗的电力可与将要发送的目标数据的量成比例地增大。在可利用的电量有限的移动电子设备环境中,这样的电力消耗成为重要问题。因此,近来已寻求在移动电子设备环境中以低电力无线地发送数据。
发明内容
提供本发明内容以按照简化形式介绍构思的选择,以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
根据本公开的一方面,一种用于发送数据的装置包括:发送线圈,被配置成接收和发送数据信号并由所述数据信号产生磁场。所述装置还包括设置在所述发送线圈的一个表面上的磁性板。所述磁性板由使得所述磁性板在第一方向上的剩余磁通密度与饱和磁通密度的比大于所述磁性板在与所述第一方向不同的第二方向上的剩余磁通密度与饱和磁通密度的比的材料形成。所述第一方向对应于所述磁性板中的磁场的方向。
所述装置的数据信号可包括从第一状态切换到第二状态或第三状态并随后从所述第二状态或所述第三状态切换到所述第一状态的脉冲。对于至少一部分脉冲而言从所述第二状态或所述第三状态切换到所述第一状态所需要的第二时间比对于所述至少一部分脉冲而言从所述第一状态切换到所述第二状态或所述第三状态所需要的第一时间长。所述装置的数据信号可以为电压信号,其中,所述第一状态为0V的状态,所述第二状态为正峰值电压的状态,并且所述第三状态为负峰值电压的状态。
在所述脉冲从所述第二状态或所述第三状态切换到所述第一状态的情况下,所述装置的数据信号可包括在至少一些区段中随时间以对数方式变化的脉冲。在所述脉冲从所述第二状态或所述第三状态切换到所述第一状态的情况下,所述装置的数据信号可包括在至少一些区段中随时间以指数方式变化的脉冲。在所述脉冲从所述第一状态切换到所述第二状态或所述第三状态的情况下,所述装置的数据信号可包括在至少一些区段中随时间以阶跃方式变化的脉冲。在所述脉冲从所述第二状态或所述第三状态切换到所述第一状态的情况下,所述数据信号可包括在至少一些区段中随时间线性地变化的脉冲。
所述装置可满足表达式1A/m≤Hc≤1×104A/m,其中,Hc为所述磁性板的BH曲线中的磁场强度。所述磁性板在2千赫兹(KHz)下可具有10至105的磁导率。
所述磁性板可由Fe-Si-B基非晶金属、Fe-Si-B-Nb-Cu基纳米晶金属和Fe-Ni-M-T基坡莫合金金属中的至少一种形成。所述磁性板可使用金属带形成,所述金属带通过在所述第一方向上将磁场施加到金属带而进行退火。所述金属带可由Fe-Si-B基非晶金属、Fe-Si-B-Nb-Cu基纳米晶金属和Fe-Ni-M-T基坡莫合金金属中的至少一种形成(其中,M表示金属或类金属,T表示过渡金属)。
所述磁性板在所述第一方向上的所述剩余磁通密度与所述饱和磁通密度的比可大于1:2。所述磁性板在所述第二方向上的所述剩余磁通密度与所述饱和磁通密度的比可以为1:2或更小。
根据本公开的另一方面,磁性材料可用在用于发送数据的装置中,所述磁性材料可产生磁场以无线地发送数据。所述磁性材料在第一方向上的剩余磁通密度与饱和磁通密度的比大于所述磁性材料在与所述第一方向不同的第二方向上的剩余磁通密度与饱和磁通密度的比。所述第一方向对应于所述磁性材料中的磁场的方向。
所述磁性材料在所述磁性材料的所述第一方向上的所述剩余磁通密度与所述饱和磁通密度的比可大于1:2。所述磁性材料可满足表达式1A/m≤Hc≤1×104A/m,其中,Hc表示所述磁性材料的BH曲线中的磁场强度。所述磁性材料在2千赫兹(KHz)下可具有10至105的磁导率。
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