[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构下方衬底中具有沟道区，所述栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；

在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一源漏掺杂层，所述第一源漏掺杂层中具有第一源漏离子，所述第一源漏掺杂层与所述衬底的沟道区的接触面上具有凸出部；

在所述栅极结构第二侧的衬底中形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层中具有第二源漏离子，所述第二源漏离子与所述第一源漏离子的导电类型相反；

形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：在所述栅极结构第一侧衬底中形成凹槽，所述凹槽邻近所述栅极结构的侧壁表面具有凹陷；在所述凹槽和所述凹陷中形成第一源漏掺杂层；其中，形成所述凹槽的步骤包括：在所述栅极结构第一侧的衬底中形成两个以上掺杂结构，所述两个以上掺杂结构沿所述栅极结构延伸方向上延伸，并垂直于衬底表面方向上层叠设置；每个所述掺杂结构与所述衬底的沟道区接触面上具有凸出结构；去除所述掺杂结构和凸出结构，在所述栅极结构第一侧衬底中形成所述凹槽；

或者，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括：对所述栅极结构第一侧的衬底进行多次掺杂离子注入，在所述栅极结构第一侧的衬底中形成源漏结构，所述源漏结构包括多层源漏区，多层源漏区在垂直于所述衬底表面方向上层叠设置，所述源漏区与所述衬底的沟道区的接触面上具有凸出部。

2.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管为N型晶体管；所述第一源漏离子为P型离子。

3.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管为P型晶体管；所述第一源漏离子为N型离子。

4.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂层与沟道区的接触面上具有凸出部。

5.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：对所述栅极结构第一侧的衬底进行多次选择离子注入，在所述栅极结构第一侧的衬底中形成掺杂结构。

6.如权利要求5所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，对所述栅极结构第一侧的衬底进行多次选择离子注入的步骤包括：对所述栅极结构第一侧的衬底进行第一选择离子注入，在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一掺杂区；对所述栅极结构第一侧的衬底进行第二选择离子注入，在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区上；对所述栅极结构第一侧的衬底进行第三选择离子注入，在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第三掺杂区上。

7.如权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一选择离子注入之后，进行所述第二选择离子注入；或者所述第二选择离子注入之后，进行所述第一选择离子注入；

所述第二选择离子注入之后，进行所述第三选择离子注入；或者所述第三选择离子注入之后，进行所述第二选择离子注入；

所述第一选择离子注入之后，进行所述第三选择离子注入；或者，所述第三选择离子注入之后，进行所述第一选择离子注入。

8.如权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一选择离子注入的能量小于所述第二选择离子注入的能量，所述第二选择离子注入的能量小于所述第三选择离子注入的能量。