[发明专利]一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法在审
申请号: | 201710582067.4 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107369706A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 姚日晖;卢宽宽;彭俊彪;宁洪龙;胡诗犇;陶瑞强;刘贤哲;陈建秋;徐苗;王磊 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L29/49 | 分类号: | H01L29/49;H01L21/285 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 罗啸秋 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 用电 器件 铜合金 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于包括如下制备步骤:
(1)在衬底上沉积20~1000nm厚度的铜合金薄膜作为导电主体层;
(2)在铜合金薄膜上沉积5~200nm厚度的纯铝薄膜作为缓冲阻挡层。
2.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:步骤(1)完成后在温度100~500℃的条件下进行退火0.5~2h,然后进行步骤(2)。
3.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:步骤(2)完成后在温度100~500℃的条件下进行退火0.5~2h。
4.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:所述衬底包括玻璃衬底、单晶硅衬底或柔性衬底。
5.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:所述铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构。
6.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆,以重量百分比计,Cr占合金总量的比例为0.1%~0.39%,Zr占合金总量的比例为0.1%~0.5%。
7.根据权利要求6所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:Cr占合金总量的比例为0.29%~0.32%,Zr占合金总量的比例为0.18%~0.21%。
8.根据权利要求7所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:Cr占合金总量的比例为0.3%,Zr占合金总量的比例为0.2%。
9.根据权利要求1所述的一种显示用电子器件铜合金电极的制备方法,其特征在于:步骤(1)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜作为导电主体层;步骤(2)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在铜合金薄膜上沉积纯铝薄膜作为缓冲阻挡层。
10.一种显示用电子器件铜合金电极,其特征在于:通过权利要求1~9任一项所述的方法制备得到。
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