[发明专利]OLED器件及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201710583094.3 申请日: 2017-07-17
公开(公告)号: CN109273613A 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 陈红;刘闯;何麟;周茂清;李俊峰 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 阴极 显示装置 保护层 制备 金属元素 功能层 像素 收缩
【说明书】:

发明提供了一种OLED器件及其制备方法、显示装置。在本发明提供的OLED器件中,在阴极和功能层之间插入一层保护层,该保护层与水和/或氧的反应速率小于阴极中第一金属元素与水和/或氧的反应速率,有利于改善像素收缩不良的现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器是一种自发光显示器,与LCD(liquid crystal display,液晶显示器)相比,OLED显示器不需要背光灯,因此OLED显示器更为轻薄,此外OLED显示器还具有高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等优点,所以越来越多地被应用于各种高性能显示领域当中。但申请人研究发现,传统的OLED显示器生产过程中由于工艺或设备不利因素导致阴极金属易与水和/或氧发生反应,使得像素收缩不良率较高,直接会降低产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED器件及其制备方法、显示装置,以解决现有的OLED显示器中像素收缩不良率较高的问题。

为解决上述技术问题,本发明提供一种OLED器件,包括依次形成于一基板上的阳极、功能层、保护层以及阴极,所述阴极中包含功函数小于等于4.3eV的第一金属元素,所述保护层的厚度小于等于所述保护层与水和/或氧的反应速率小于所述第一金属元素与水和/或氧的反应速率,且用以减缓基板中的水和/或氧与第一金属元素反应。

可选的,所述保护层的厚度为

可选的,所述保护层的可见光透过率大于等于80%。

可选的,所述保护层包含金属元素,所述保护层的金属元素的功函数大于所述第一金属元素的功函数。

可选的,构成所述保护层的元素选自元素周期表第一至第六主族、及第一至第四副族中的至少一种。进一步的,构成所述保护层的元素为银或铝或铜或金中的至少一种。

可选的,所述保护层包含一化合物层。进一步的,所述保护层为非晶体C12A7(即12CaO·7Al2O3:e-)、氟化钇、氧化铯、碳酸铯或氧化银中的至少一种。

可选的,所述阴极还包含第二金属元素,所述第一金属元素为镁、钙、镱、钾、钠、锂、钡、锶中的一种,所述第二金属元素为银、铝、铜、金中的一种。

本发明还提供一种显示装置,包括如上任一项所述的OLED器件。

本发明又提供一种OLED器件制备方法,包括:在一基板上依次形成阳极、功能层、保护层以及阴极;其中,所述阴极中包含功函数小于等于4.3eV的第一金属元素,所述保护层的厚度小于等于所述保护层与水和/或氧的反应速率小于所述第一金属元素与水和/或氧的反应速率,且所述保护层用以减缓基板中的水和/或氧与所述第一金属元素反应。

在本发明提供的OLED器件中,在阴极和功能层之间插入一层保护层,该保护层与水和/或氧的反应速率小于阴极中第一金属元素与水和/或氧的反应速率,且可减缓基板中的水和/或氧与所述第一金属元素反应,可有效改善像素收缩不良的现象。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图。

图2为对图1所示的OLED器件中的功能层进行细化后的OLED器件的结构示意图。

图中标号说明:01-基板;10-阳极;11-阴极;12-功能层;13-保护层;111-第一阴极层;112-第二阴极层;120-发光层;130-电子传输层;140-空穴传输层;141-空穴注入层。

具体实施方式

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