[发明专利]一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法有效
申请号: | 201710584026.9 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107253733B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 陈庆;曾军堂;陈兵 | 申请(专利权)人: | 叶盛 |
主分类号: | C01F5/02 | 分类号: | C01F5/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 台州蓝天知识产权代理有限公司 33229 | 代理人: | 刘颖 |
地址: | 318050 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 分散性 纳米 氧化镁 材料 制备 方法 | ||
1.一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,以硫酸镁、氧化镁量子点、氨水为原料,具体操作步骤如下:
(1)用浓硫酸洗涤硫酸镁,经过过滤清洗烘干得到纯化的硫酸镁原料;
(2)将所述纯化的硫酸镁原料与分散乳化剂、氧化镁量子点和氨水混合,在高压均质机中分散搅拌均匀,分散形成初级乳液,所述纯化的硫酸镁原料与所述分散乳化剂、所述氧化镁量子点和所述氨水的质量比为5-8:0.1-0.4:1.3-4.1:30-60;
(3)对所述高压均质机加压,让所述初级乳液通过所述高压均质机的高压气流出口喷出,控制所述高压气流出口压力为1.4-3.5 atm,流出速度为10-50m/s,通过设置在距离所述高压气流出口2-5cm的激光发生装置发生激光,从所述高压均质机气流出口喷出的初级乳液在激光扫描烧结作用下进行加热,镁离子以氧化镁量子点为晶核生长,得到高分散性高纯度球形纳米氧化镁颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述浓硫酸与硫酸镁的质量比为5-10:1,所述浓硫酸的浓度为70%-80%。
3.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述经过过滤清洗烘干得到纯化的硫酸镁原料,具体为经过过滤后用去离子水不断冲洗,采用真空烘干机,控制真空度为1-5 KPa,烘干室的温度为100-300℃,烘干得到纯化的硫酸镁原料。
4.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,所述分散乳化剂为十二烷基磺酸钠、三聚磷酸钠中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,所述氧化镁量子点为10-50nm的高纯氧化镁颗粒。
6.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,所述氨水为质量浓度为30-37%的氨水溶剂。
7.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,所述高压均质机内的环境温度为200-400℃。
8.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,所述激光烧结工艺是采用CO2激光器或Nd:YAG激光器,激光器的功率为2-5KW,扫描速度为15-300mm/s,扫描间距为0.25-0.35mm。
9.根据权利要求1所述的一种高纯高分散性纳米氧化镁材料的制备方法,其特征在于,所述球形纳米氧化镁颗粒的粒径为80-220nm。
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