[发明专利]具伸张应力鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构

权利要求书

1.一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，包含：

提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区；

形成二条第一沟槽和二条第二沟槽于该基底中，该二条第一沟槽定义出一鳍状结构，该二条第二沟槽截断该二条第一沟槽；

进行一流动型化学气相沉积步骤，以形成氧化硅层填入该二条第一沟槽和该二条第二沟槽；

平坦化该氧化硅层，其中在平坦化该氧化硅层后，该氧化硅层的上表面不低于该鳍状结构的上表面；

形成一图案化掩模只位于该N型晶体管区，该图案化掩模只重叠位于该二条第二沟槽内的该氧化硅层；

以该图案化掩模为掩模，去除部分的氧化硅层直至位于N型晶体管区内的该第一沟槽中的该氧化硅层的上表面以及位于该P型晶体管区内的该氧化硅层的上表面低于该鳍状结构的上表面；以及

移除该图案化掩模。

2.如权利要求1所述的具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，另包含：

在平坦化该氧化硅层之后以及形成该图案化掩模之前，该氧化硅层的上表面高于该鳍状结构的上表面；以及

在移除该图案化掩模后，位于N型晶体管区内的该二条第二沟槽中的该氧化硅层的上表面高于该鳍状结构的上表面。

3.如权利要求1所述的具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，另包含：

在平坦化该氧化硅层之后以及形成该图案化掩模之前，该氧化硅层的上表面与该鳍状结构的上表面切齐；以及

其中在移除该图案化掩模之后，位于N型晶体管区内的该二条第二沟槽中的该氧化硅层的上表面与该鳍状结构的上表面切齐。

4.如权利要求1所述的具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，其中该图案化掩模不形成在该P型晶体管区。

5.如权利要求4所述的具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，其中在P型晶体管区内，位于该二条第二沟槽内的该氧化硅层的上表面和位于该二条第一沟槽内的该氧化硅层的上表面切齐。

6.一种互补式鳍状晶体管结构，包含：

N型鳍状晶体管，包含：

第一鳍状结构；

二个浅沟槽隔离，分别位于该第一鳍状结构的相对两侧；

二个第一单一扩散隔离结构，分别位于该第一鳍状结构的两末端，其中该二个第一单一扩散隔离结构的上表面不低于该第一鳍状结构的上表面；

第一栅极结构，横跨该第一鳍状结构；

第一源极/漏极掺杂区，位于该第一栅极结构两侧的该第一鳍状结构内；

P型鳍状晶体管，包含：

第二鳍状结构；

该二个浅沟槽隔离，分别位于该第二鳍状结构的相对两侧；

二个第二单一扩散隔离结构，分别位于该第二鳍状结构的两末端，其中该二个第二单一扩散隔离结构的上表面低于该第二鳍状结构的上表面；

第二栅极结构，横跨该第二鳍状结构；以及

第二源极/漏极掺杂区，位于该第二栅极结构两侧的该第二鳍状结构内。

7.如权利要求6所述的互补式鳍状晶体管结构，其中该二个第一单一扩散隔离结构的上表面高于该第一鳍状结构的上表面。

8.如权利要求6所述的互补式鳍状晶体管结构，其中该二个第一单一扩散隔离结构的上表面与该第一鳍状结构的上表面切齐。

9.如权利要求6所述的互补式鳍状晶体管结构，其中该二个第一单一扩散隔离结构的上表面高于该二个浅沟槽离的上表面。

10.如权利要求6所述的互补式鳍状晶体管结构，其中该第一鳍状结构的上表面和该第二鳍状结构的上表面切齐。