[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

形成一第一凹槽以及第四凹槽于一基底内；

形成一第一浅沟隔离于该第一凹槽内，同时形成一第二浅沟隔离于该第四凹槽内；

形成一第一图案化掩模于该基底上；

利用该第一图案化掩模去除部分该第一浅沟隔离以形成一第二凹槽，以及去除部分该基底形成一第三凹槽，其中该第三凹槽下表面低于该第二凹槽下表面；以及

在形成该第二凹槽及该第三凹槽后，形成一第二图案化掩模于该第一浅沟隔离上，其中该第二图案化掩模暴露出该第三凹槽以及该第二浅沟隔离；以及

利用该第二图案化掩模去除部分该第二浅沟隔离。

2.如权利要求1所述的方法，另包含形成该第一浅沟隔离同时形成该第二浅沟隔离于该第四凹槽内且该第一浅沟隔离上表面切齐该第二浅沟隔离上表面。

3.如权利要求1所述的方法，另包含去除部分该第二浅沟隔离使该第二浅沟隔离上表面低于该第一浅沟隔离上表面。

4.如权利要求3所述的方法，其中该第一浅沟隔离上表面高于该基底上表面，且该第二浅沟隔离上表面低于该基底上表面。

5.如权利要求1所述的方法，另包含：

去除该第二图案化掩模；

形成一功函数金属层于该第二凹槽及该第三凹槽内；

形成一导电层于该功函数金属层上；

去除部分该导电层及部分该功函数金属层；以及

形成一硬掩模于该第一凹槽以及该第三凹槽内。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第一浅沟隔离包含一上半部以及一下半部，且该上半部的宽度小于该下半部的宽度。

7.如权利要求6所述的方法，其中该上半部上表面高于该基底上表面。

8.如权利要求6所述的方法，其中该下半部上表面切齐该基底上表面。

9.一种半导体元件，包含：

第一栅极结构；

第二栅极结构，设于基底内；

第一浅沟隔离，设于该基底内；以及

第二浅沟隔离，设于该基底内；

其中，在该半导体元件的主动区的延伸方向的剖视图上，该第一栅极结构设于该第一浅沟隔离中，该第二栅极结构邻近该第一栅极结构，且该第一栅极结构的下表面高于该第二栅极结构下表面，

其中，在该半导体元件的字符线的延伸方向的剖视图上，该第二浅沟隔离位于该第一浅沟隔离旁，该第一浅沟隔离的上表面高于该基底的上表面，该第二浅沟隔离的上表面低于该第一浅沟隔离的上表面并低于该基底的上表面。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一浅沟隔离包含氧化硅。

11.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第一浅沟隔离包含上半部以及下半部，且该上半部的宽度小于该下半部的宽度。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该上半部上表面高于该基底上表面。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该下半部上表面切齐该基底上表面。