[发明专利]残差处理电路和相关的残差处理方法

权利要求书

1.一种残差处理电路，其特征在于，包括：

单路径流水线，包括逆扫描电路、逆量化电路和逆变换电路，被布置为以流水线方式处理当前非零残差数据块，其中该当前非零残差数据块是变换单元的至少一部分；以及

单路径控制器，被配置为控制在该单路径流水线处的该当前非零残差数据块的流水线处理，其中该单路径控制器指示该逆扫描电路在该逆变换电路完成该当前非零残差数据块的逆变换处理的前半部分之前，启动下一个非零残差数据块的逆扫描处理。

2.根据权利要求1所述的残差处理电路，其特征在于，该单路径控制器监视该逆扫描电路、该逆量化电路和该逆变换电路的处理进度，并根据监视的处理进度自适应地控制该当前非零残差数据块的该流水线处理。

3.根据权利要求1所述的残差处理电路，其特征在于，该单路径控制器预测该逆扫描电路的启动时间，用于向该当前非零残差数据块应用逆扫描处理，预测该逆量化电路的启动时间，用于向该当前非零残差数据块应用逆量化处理，以及预测该逆变换电路的启动时间，用于向该当前非零残差数据块应用逆变换处理，并且根据该逆扫描电路的预测启动时间、该逆量化电路的预测启动时间和该逆变换电路的预测启动时间来控制该当前非零残差数据块的该流水线处理。

4.根据权利要求3所述的残差处理电路，其特征在于，该单路径控制器预测该当前非零残差数据块的逆扫描处理周期计数，预测该当前非零残差数据块的逆量化处理周期计数，预测该当前非零残差数据块的逆变换处理周期计数，从该逆扫描处理周期计数、该逆量化处理周期计数和该逆变换处理周期计数中选择最大值，并将该逆扫描电路的该启动时间预测为该最大值和用于将逆扫描处理应用于先前的非零残差数据块的该逆扫描电路的启动时间的总和。

5.根据权利要求3所述的残差处理电路，其特征在于，该单路径控制器预测该当前非零残差数据块的逆扫描处理周期计数，预测该当前非零残差数据块的逆量化处理周期计数，预测该当前非零残差数据块的逆变换处理周期计数，从该逆扫描处理周期计数、该逆量化处理周期计数和该逆变换处理周期计数中选择最大值，并将该逆量化电路的该启动时间预测为该最大值、用于将逆扫描处理应用于先前非零残差数据块的该逆扫描电路的启动时间、和该逆量化电路的该启动时间与该逆扫描电路的该启动时间之间的延迟的预定周期计数的和。

6.根据权利要求3所述的残差处理电路，其特征在于，该单路径控制器预测该当前非零残差数据块的逆扫描处理周期计数，预测该当前非零残差数据块的逆量化处理周期计数，预测该当前非零残差数据块的逆变换处理循环计数，从该逆扫描处理周期计数、该逆量化处理周期计数和该逆变换处理周期计数中选择最大值，并将该逆变换电路的该启动时间预测为该最大值、用于将逆扫描处理应用于先前的非零残差数据块的该逆扫描电路的启动时间、该逆量化电路的该启动时间和该逆扫描电路的该启动时间之间的延迟的预定周期计数，以及该逆变换电路的该启动时间和该逆量化电路的该启动时间之间的延迟的预定周期计数的和。

7.一种残差处理电路，包括：

多路径流水线，包括：

多个并行单路径流水线，每个包括逆扫描电路、逆量化电路和逆变换电路，被布置为以流水线方式处理非零残差数据块，其中该非零残差数据块是变换单元的至少一部分，该多个并行单路径流水线至少包括第一单路径流水线和第二单路径流水线；以及

多路径控制器，其被配置为控制多个非零残差数据块的流水线处理，其中该多路径控制器指示该第二单路径流水线在该第一单路径流水线完成当前非零残差数据块的逆变换处理的前半部分之前，启动下一非零残差数据块的流水线处理。

8.根据权利要求7所述的残差处理电路，其特征在于，该多路径控制器根据该多个非零残差数据块的顺序依次循环地将该多个非零残差数据块分配给该多个并行单路径流水线。