[发明专利]一种防污基板及其制备方法

权利要求书

1.一种防污基板的制备方法，其特征在于，所述防污基板包括基底；所述基底的表面至少具有一个功能区域；所述功能区域至少一部分具有涂层；所述功能区域上具有多个凸台，所述凸台的平均高度为10～2000nm，凸台的平均上表面积为78～1.964×10⁵nm²，相邻凸台之间的平均间距为1～5000nm；所述涂层采用疏水材料制成；

所述防污基板的制备方法包括以下步骤：

(1)、在基底表面制备一层无机氧化物层；

(2)、对步骤(1)所得无机氧化物层的表面涂覆一层光刻胶；

(3)、对涂覆有光刻胶的基底进行曝光处理；

(4)、对步骤(3)所得的曝光处理后的基底上的无机氧化物层进行第一次刻蚀，然后对刻蚀后的基底进行清洗，得具有第一无机氧化物凸台的基底；

(5)、对步骤(4)所得基底上的第一无机氧化物凸台进行第二次刻蚀，得具有第二无机氧化物凸台的基底；

(6)、对步骤(5)所得基底上第二无机氧化物凸台周围的凹槽内涂覆一层保护膜，对第二无机氧化物凸台和与第二无机氧化物凸台位置对应的基底进行第三次刻蚀，然后清洗第三次刻蚀后的基底，得具有凸台的基底；

(7)、对步骤(6)所得的具有凸台的基底涂覆疏水材料；

所述步骤(3)中，所述曝光处理为光栅曝光处理；所述光栅曝光处理的光罩为光栅，光源为紫外光。

2.如权利要求1所述的防污基板的制备方法，其特征在于，所述涂层的厚度为2～200nm。

3.如权利要求1所述的防污基板的制备方法，其特征在于，所述涂层的厚度为5～100nm。

4.如权利要求1所述的防污基板的制备方法，其特征在于，所述基底的材料包含二氧化硅、二氧化锆、碳化硅、氧化钇、氧化钙、氧化铈、氮化硅和碳化锆中的至少一种；所述涂层的材料为氟硅烷、全氟聚醚、全氟烷基磺酸盐和氟碳树脂中的至少一种。

5.如权利要求1所述的防污基板的制备方法，其特征在于，所述基底的材料为氧化钇、氧化钙或氧化铈掺杂的氧化锆或氧化锆。

6.如权利要求1所述防污基板的制备方法，其特征在于，所述无机氧化物层的材料为二氧化硅、二氧化锆、碳化硅、氧化钇、氧化钙、氧化铈、氮化硅和碳化锆中的至少一种。

7.如权利要求1所述防污基板的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，所述保护膜为光刻胶。

8.如权利要求1所述防污基板的制备方法，其特征在于，步骤(7)中，在对具有凸台的基底涂覆疏水材料之后，还包括对涂覆了疏水材料的凸台进行热处理的步骤，所述热处理的条件为：50～250℃，5×10^-3～1×10^-1Pa。

9.如权利要求1所述防污基板的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述第一次刻蚀为等离子刻蚀或反应离子刻蚀；步骤(5)中，所述第二次刻蚀为等离子刻蚀或反应离子刻蚀；步骤(6)中，所述第三次刻蚀为等离子刻蚀或反应离子刻蚀；步骤(7)中，涂覆疏水材料采用的方法为CVD、PVD和蒸镀中的至少一种。