[发明专利]传感器的制造方法及传感器有效

专利信息
申请号: 201710586335.X 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN107607152B 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 赖建文 申请(专利权)人: 上海申矽凌微电子科技有限公司
主分类号: G01D21/02 分类号: G01D21/02
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 201108 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传感器 制造 方法
【说明书】:

本发明提供了一种传感器的制造方法,包括气敏和湿敏器件形成步骤;所述气敏和湿敏器件形成步骤包括器件区域形成步骤、器件构成步骤;所述器件区域形成步骤包括湿敏器件区域形成步骤、气敏器件区域形成步骤;所述器件构成步骤包括湿敏器件形成步骤、气敏器件形成步骤。本发明还提供了一种传感器,所述传感器是利用上述的传感器的制造方法制成的传感器。本发明将湿敏电容和气敏电阻用完全兼容的工艺制作在同一硅片上,不需要特殊工艺,使得结构简单可靠。气敏材料的注入和形成采用自对准工艺,使得气敏图形稳定,尺寸一致。只需低于400℃的低温来处理的气敏材料,与常规半导体铝布线工艺兼容,不需要用到如金等贵金属,降低成本等有益效果。

技术领域

本发明涉及一种传感器制造方法,具体地,涉及一种温湿气敏器件的制造方法及传感器。

背景技术

用金属氧化物气敏原理来检测气体的传感器已经被研究多时,相关的专利也有申请和授予。因为金属氧化物的气敏特性只有在较高的温度下才能表现出来,通常的气体传感器需要有加热功能和绝热功能。因此,气体传感器的结构比较复杂。一般的结构具有以下几个部分:硅背面空腔结构、金属加热层、连线金属层以及气敏材料层。传统的此类气敏传感器有以下两个缺点:1、为了使得气敏器件得到热隔离,需要使用MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)工艺制作硅空腔,工艺复杂,与传统的集成电路工艺不兼容;2、工作温度一般在200℃到500℃,虽然是暂短的脉冲加热,但是足以把芯片本身的温度提高,使得不可能把温度和湿度传感器集成在一起。

环境的质量与人们的生活和工作舒适度,健康息息相关。近几年来,随着人们对环境的要求越来越高,人们希望能有简单可靠,价格便宜的方法和产品可以检测环境空气的质量,比如检测一氧化碳、可燃性气体、乙醇、二氧化氮等这些有毒气体在空气中的含量。利用金属氧化物的气敏特性来测量此类气体含量是一种比较常用的方法。但是,此类传感器制造工艺冗长,结构复杂,一致性和可靠性低。此外,由于工作温度需要在200℃以上,此类气敏器件不可能与温湿度器件集成在一起。

发明内容

针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种温湿气敏器件的制造方法及传感器。

根据本发明提供的一种传感器的制造方法,包括气敏和湿敏器件形成步骤;

所述气敏和湿敏器件形成步骤包括器件区域形成步骤、器件构成步骤;

所述器件区域形成步骤包括湿敏器件区域形成步骤、气敏器件区域形成步骤;

所述器件构成步骤包括湿敏器件形成步骤、气敏器件形成步骤。

优选地,湿敏器件形成步骤、气敏器件形成步骤、湿敏器件区域形成步骤、气敏器件区域形成步骤均包括固化器件步骤。

优选地,气敏器件形成步骤包括注入气敏材料步骤。

优选地,还包括积层步骤、接触孔形成步骤。

优选地,

在积层步骤中:

在基层上依次沉积第一介质层、第一金属层以及第二介质层;

在接触孔形成步骤中:

在所述第二介质层上形成接触孔;

所述接触孔使所述第一金属层露出;

所述第二金属层沉积在所述第二介质层上,并且形成设定图形;

所述第一金属层露出的部分经所述接触孔与所述第二金属层相连接;

所述第三介质层沉积在所述第二金属层上。

优选地,

在湿敏器件区域形成步骤中:

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