[发明专利]低压差线性稳压电路、电压调整率补偿单元及方法

权利要求书

1.一种电压调整率补偿单元，应用于低压差线性稳压电路，其特征在于，所述电压调整率补偿单元至少包括：

温度感应模块、基准参考电压产生模块、比较器以及基准调整模块；

所述温度感应模块对所述电压调整率补偿单元所在环境进行温度检测，并输出相应的温度检测电压；

所述基准参考电压产生模块用于产生参考电压及所述参考电压的检测电压；

所述比较器连接于所述温度感应模块及所述基准参考电压产生模块的输出端，将所述温度检测电压与所述参考电压或所述参考电压的检测电压进行比较，并输出比较结果；

所述基准调整模块连接于所述比较器的输出端，根据所述比较结果调整所述参考电压，当所述电压调整率补偿单元所在环境的温度超过设定温度时，增大所述参考电压，将所述参考电压作为所述低压差线性稳压电路的参考输入，进而补偿负载调整引起的所述低压差线性稳压电路的输出电压的下降。

2.根据权利要求1所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述温度感应模块包括第一电流源、第二电流源、第一三极管及第二三极管；所述第一电流源的一端连接电源电压、另一端连接所述第一三极管的发射极，所述第一电流源与所述第一三极管的连接结点作为所述温度感应模块的输出端；所述第一三极管的集电极接地、基极连接所述第二三极管的发射极；所述第二电流源的一端连接所述电源电压、另一端连接所述第二三极管的发射极；所述第二三极管的集电极和基极接地。

3.根据权利要求2所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述第一电流源及所述第二电流源分别为第一PMOS管及第二PMOS管；所述第一PMOS管的源端连接所述电源电压、漏端连接所述第一三极管、栅端连接第一偏置电压；所述第二PMOS管的源端连接所述电源电压、漏端连接所述第二三极管、栅端连接所述第一偏置电压。

4.根据权利要求1所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述基准参考电压产生模块包括第三电流源、第一电阻、开关、第二电阻及第三三极管；所述第三电流源的一端连接电源电压、另一端连接所述第一电阻的一端，所述第三电流源与所述第一电阻的连接结点输出所述参考电压；所述第一电阻的另一端经过所述开关后连接所述第二电阻的一端，所述第一电阻与所述开关的连接结点输出所述参考电压的检测电压；所述第二电阻的另一端连接所述第三三极管的发射极，所述第三三极管的栅极和基极接地。

5.根据权利要求4所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述第三电流源为第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端连接所述电源电压、漏端连接所述第一电阻、栅端连接第一偏置电压。

6.根据权利要求4所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述开关为第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏端连接所述第一电阻、源端连接所述第二电阻、栅端连接所述比较器的输出端。

7.根据权利要求4所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述基准调整模块包括与所述开关并联的补偿电阻。

8.根据权利要求4所述的电压调整率补偿单元，其特征在于：所述比较器的正相输入端连接所述温度感应模块的输出端、反相输入端连接所述基准参考电压产生模块的输出端。

9.一种低压差线性稳压电路，其特征在于，所述低压差线性稳压电路至少包括：

功率管、反馈网络、运算放大器以及如权利要求1～8任意一项所述的电压调整率补偿单元；

所述功率管的源端连接电源电压、漏端连接所述反馈网络、栅端连接所述运算放大器的输出端，受所述运算放大器的控制调整输出电压；

所述运算放大器的输入端连接所述反馈网络及所述电压调整率补偿单元，对反馈电压及参考电压进行比较产生所述功率管的控制电压，进而控制所述输出电压。