[发明专利]MOS型功率器件及其制备方法

权利要求书

1.一种MOS型功率器件，其特征在于，包括：

衬底；

阱区，所述阱区设置在所述衬底的上表面，且所述阱区的下表面设置有向下延伸的凸起部；

源区，所述源区对称设置在所述阱区上表面的两侧，所述衬底、所述阱区和所述源区限定出凹槽；

栅氧化层，所述栅氧化层填充在所述凹槽内；

栅电极，所述栅电极设置在所述栅氧化层中；

绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述栅氧化层、所述栅电极和部分所述源区的上表面；

源区电极，所述源区电极设置在所述阱区上表面的中部、部分所述源区的上表面和所述绝缘介质层的上表面。

2.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于，所述凸起部的截面为弧形。

3.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于，所述阱区上表面的中部到所述凸起部下表面的最大距离为3～4微米，所述阱区上表面的中部到所述阱区下表面的距离为1～2微米。

4.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于，所述源区的深度为0.2～0.5微米。

5.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于，沟道长度为0.8～1.5微米。

6.根据权利要求1所述的MOS型功率器件，其特征在于，所述凸起部的最大宽度为两个所述栅电极之间间距的1/3～1/2。

7.一种制备权利要求1-6中任一项所述的MOS型功率器件的方法，其特征在于，包括：

在衬底的两侧对称形成凹槽；

在所述凹槽内壁上形成栅氧化层，所述栅氧化层限定出栅电极空间；

在所述栅电极空间中形成栅电极；

在所述衬底上表面形成阱区；

在所述阱区上表面的两侧对称形成源区；

在所述栅氧化层、所述栅电极和部分所述源区的上表面形成绝缘介质层；

在所述阱区上表面的中部、部分所述源区的上表面和所述绝缘介质层的上表面形成源区电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成阱区包括以下：

对所述衬底的上表面进行离子注入，形成深度均匀的第一子阱区；

对所述第一子阱区的部分上表面进行高能离子注入，以在所述第一子阱区的下表面形成凸起部。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成阱区包括：

对所述衬底的部分上表面进行高能离子注入，形成下表面向下延伸凸起的第二子阱区；

对所述衬底的上表面进行离子注入，在所述第二子阱区的两侧对称形成深度均匀的第三子阱区，且所述第三子阱区的深度小于所述第二子阱区的深度。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述高能离子注入的离子注入剂量为1E13～9E14，注入能量为60～120KeV，驱入时间为10～30min，扩散温度为950～1150℃。

11.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述离子注入的离子注入剂量为1E13～9E14，注入能量为10～50KeV，驱入时间为10～20min，扩散温度为950～1150℃。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过离子注入形成所述源区，且所述离子注入的离子注入剂量为1E15～9E15。