[发明专利]基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法

说明书

本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；将处理后的所述外延片在纯水中进行第一清洗；将经过所述第一清洗的所述外延片在氢氟酸溶液中漂洗；将漂洗后的所述外延片在纯水中进行第二清洗；将经过所述第二清洗的所述外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；再将所述外延片在纯水中进行第三清洗；再通过氮气将所述外延片吹干；最后使用汞探针电容电压法测量装置测量所述外延片。本发明能够使测量结果准确。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法。

背景技术

在硅外延工艺中，需要在衬底背面覆盖一层背封层。通常是在衬底背面覆盖一层二氧化硅（LTO）作为背封层，超级背封（Super Sealing）衬底为一种新型的在LTO背封层表面再覆盖一层多晶硅（POLY）的具有双层背封结构的衬底。

在测量硅外延电阻率时，通常采用汞探针电容电压法（HG-CV），通过背表面导通（Back-Surface-Return-Contact）的结构测量硅外延片的电阻率。这种方法要求外延片的衬底能够与HG-CV设备的真空金属吸盘紧密接触产生导通电阻。以LTO作为背封层的硅外延片在通过HG-CV测量电阻率前背封层已经用氢氟酸溶液去除，以保证电阻率测量结果的准确性。由于基于 Super Sealing衬底的硅外延片背封层难以通过常规的使用氢氟酸溶液腐蚀的方法去除，在使用HG-CV测量电阻率时，导致电阻率测量结果不准确。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，以解决现有技术中使用HG-CV方法测量超级背封衬底的外延片电阻率时，测量结果不准确的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：

一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法，包括以下步骤：

对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，露出二氧化硅背封层，所述处理的位置包含测量位置；

将处理后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第一清洗；

将经过所述第一清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在氢氟酸溶液中漂洗；

将漂洗后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第二清洗；

将经过所述第二清洗的所述基于超级背封衬底的外延片在预设温度的双氧水溶液中煮预设时间；

将在双氧水溶液中煮预设时间后的所述基于超级背封衬底的外延片在纯水中进行第三清洗；

通过氮气将经过所述第三清洗后的所述基于超级背封衬底的外延片吹干；

使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片。

可选的，所述使用汞探针电容电压法测量装置测量吹干后的所述基于超级背封衬底的外延片之前，所述方法还包括：

所述汞探针电容电压法测量装置包括金属真空吸盘，所述金属真空吸盘与所述基于超级背封衬底的外延片接触，在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇。

可选的，所述在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加异丙醇，具体包括：

使用滴定管在所述金属真空吸盘上与所述测量位置对应的位置滴加2滴异丙酮。

可选的，所述对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理，具体包括：

将划伤模具覆盖在所述基于超级背封衬底的外延片的背封层表面，所述划伤模具设有划伤开口；