[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设于衬底基板的第一有源层，所述第一有源层由掺杂有金属元素的金属氧化物半导体材料形成，所掺杂的金属元素的化学活泼性高于所述金属氧化物半导体中的金属元素的化学活泼性；

所述薄膜晶体管还包括设在所述第一有源层背向所述衬底基板的表面的第二有源层，所述第二有源层由掺杂有非金属元素的金属氧化物半导体材料形成，其中，所掺杂的非金属元素的离子半径与氧的离子半径的差值在预设阈值范围内；

所述薄膜晶体管还包括设在所述第二有源层背向所述第一有源层的表面的第三有源层，所述第三有源层由n型掺杂的氧化物半导体材料形成。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所掺杂的金属元素为镁。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所掺杂的非金属元素为氮。

4.根据权利要求1～3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物半导体材料或氧化锌基半导体材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层的形状相同；

其中，所述第一有源层的厚度为20nm～25nm，所述第二有源层的厚度为10nm～15nm，所述第三有源层的厚度为3nm～7nm。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法应用于如权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管的制作方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板形成第一有源层，其中，所述第一有源层由掺杂有金属元素的金属氧化物半导体材料形成，所掺杂的金属元素的化学活泼性高于所述金属氧化物半导体中的金属元素的化学活泼性；

在所述第一有源层背向所述衬底基板的表面形成第二有源层，其中，所述第二有源层由掺杂非金属元素的金属氧化物半导体材料形成，所掺杂的非金属元素的离子半径与氧的离子半径的差值在预设阈值范围内；

在所述第二有源层背向所述第一有源层的表面的第三有源层，其中，所述第三有源层由n型掺杂的氧化物半导体材料形成。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的阵列基板。