[发明专利]半导体装置用接合线

权利要求书

1.一种半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

2.一种半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、总计为0.01～5原子％的Ni、Cu、Rh、Pd、Pt、Au中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

3.一种半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、总计为10～300原子ppm的Be、B、P、Ca、Y、La、Ce中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

4.一种半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、总计为0.01～5原子％的Ni、Cu、Rh、Pd、Pt、Au中的1种以上、总计为10～300原子ppm的Be、B、P、Ca、Y、La、Ce中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，在深度方向上距离线表面0～10nm的区域中的In、Ga、Cd的总计原子百分率是在深度方向上距离所述线表面20～30nm的区域中的In、Ga、Cd的总计原子百分率的2倍以上。

6.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，与线轴垂直的方向的截面中的平均结晶粒径为0.2～3.5μm。

7.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，在测定包含所述接合裸线的线轴且与线轴平行的截面的结晶取向时的测定结果中，相对于所述接合裸线的长度方向，角度差为15度以下的结晶取向100的存在比率以面积率计为30％以上且100％以下。

8.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，在深度方向上距离线表面0～1nm的区域中的相对于金属元素的总计的、选自In、Ga、Cd中的至少1种以上的元素的平均总计原子百分率，是在深度方向上距离所述线表面1～10nm的区域中的相对于金属元素的总计的、选自In、Ga、Cd中的至少1种以上的元素的平均总计原子百分率的1.2倍以上。

9.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，被用于球接合。

10.根据权利要求5所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，与线轴垂直的方向的截面中的平均结晶粒径为0.2～3.5μm。

11.根据权利要求5所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，在测定包含所述接合裸线的线轴且与线轴平行的截面的结晶取向时的测定结果中，相对于所述接合裸线的长度方向，角度差为15度以下的结晶取向100的存在比率以面积率计为30％以上且100％以下。

12.根据权利要求5所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，在深度方向上距离线表面0～1nm的区域中的相对于金属元素的总计的、选自In、Ga、Cd中的至少1种以上的元素的平均总计原子百分率，是在深度方向上距离所述线表面1～10nm的区域中的相对于金属元素的总计的、选自In、Ga、Cd中的至少1种以上的元素的平均总计原子百分率的1.2倍以上。

13.根据权利要求5所述的半导体装置用Ag合金接合裸线，其特征在于，被用于球接合。