[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池

权利要求书

1.一种钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述叠层太阳电池是在顶电池空穴传输层上制备一层中间保护层，以保护空穴传输层不受后续透明电极损伤、防止结构受损，提高叠层电池填充因子进而提高效率。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，该叠层太阳电池结构由上至下依次包括：正面金属栅线电极M1、透明导电薄膜T、中间保护层B、钙钛矿顶电池空穴传输层HTL、钙钛矿吸收层、电子传输层ETL、隧穿结ITO、硅异质结底电池空穴选择层p、钝化层i、衬底S、钝化层i、电子选择层n和背电极M2。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池为串联型两端叠层电池。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述底电池的衬底S为单晶硅片或多晶硅片衬底。

5.根据权利要求2所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述底电池衬底沉积钝化层i和空穴选择层p的一面形貌为平面形貌。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述底电池的电子选择层n和空穴选择层p为非晶硅或纳米硅氧或微晶硅氧材料中的一种或多种组合。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述顶电池的钙钛矿材料为多种卤素元素混合的钙钛矿材料。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述顶电池电子传输层为下列氧化物材料中的一种或者多种的混合材料：氧化锡、氧化钛或氧化锡与氧化钛组合。

9.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，顶电池的氧化物电子传输层、钙钛矿层、HTL层以及透明导电薄膜T和电极M1的沉积均需在低温条件下进行。

10.根据权利要求1所述的钙钛矿/硅异质结两端叠层太阳电池，其特征在于，所述顶电池中间保护层为下列材料中的一种或者多种材料的混合材料：透过较好的金属氧化物或金属。