[发明专利]一种基于CMOS工艺的宽带双向射频放大器

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的宽带双向射频放大器，包括正向放大器宽带LNA和反向放大器宽带PA，其特征在于：正向放大器宽带LNA和反向放大器宽带PA都采用带RC负反馈的共源组态电路拓扑，正向放大器宽带LNA的射频输入端和反向放大器宽带PA的射频输出端连接在一起，正向放大器宽带LNA的射频输出端和反向放大器宽带PA的射频输入端连接在一起；

所述正向放大器宽带LNA包括MOS管M1为射频放大管，L_{B_R}为栅极电感，L_{S_R}为源极负反馈电感，R_{2_R}和C_{2_R}构成RC负反馈扩展电路带宽；

还包括MOS管M2和MOS管M3分别构成开关；

M1的栅极与M2的源极相连；M3漏极一端通过R_{1_R}与M2漏极相连，一端通过R_{1_R}、L_{b_R}与M1的栅极相连；

SW1为高电平、SW2为低电平时，正向放大器工作；SW1为低电平、SW2为高电平时，正向放大器不工作；

其中，SW1表示MOS管M2的栅极电平，SW2表示MOS管M3的栅极电平。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的宽带双向射频放大器，其特征在于：所述反向放大器宽带PA包括MOS管M4为射频放大管，L_{B_T}为栅极电感，R_{2_T}和C_{2_T}构成RC负反馈扩展电路带宽，MOS管M4和MOS管M6分别构成开关；

M4栅极与M5源极相连；M6的漏极一端通过R_{1_T}与M5漏极相连，一端通过R_{1_T}、Lb_T与M4的栅极相连；

SW3为高电平、SW4为低电平时正向放大器工作，SW3为低电平、SW4为高电平时正向放大器不工作；

SW3表示MOS管M5的栅极电平，SW4表示MOS管M6的栅极电平。