[发明专利]一种测试标片制作方法及测试标片在审
申请号: | 201710594645.6 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN109285895A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 王雪亮;胡冰峰;罗茂盛 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司;太仓海润太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 测试 细栅 印刷 二次烧结 正面印刷 主栅 背面 制作 晶体硅太阳能电池 使用寿命 外界氧气 延长测试 一次烧结 烧结 背场 背极 刻蚀 制绒 磨损 衰减 扩散 制造 | ||
本发明涉及晶体硅太阳能电池制造领域,尤其涉及一种测试标片制作方法及测试标片。其中,测试标片制作方法包括:对硅片的双面进行制绒;对硅片的正面进行扩散;对硅片的双面进行边缘刻蚀;在硅片的正面印刷细栅;对硅片进行一次烧结;对硅片的正面镀减反膜;在硅片的背面印刷背极;在硅片的背面印刷背场;在硅片的正面印刷主栅;对硅片进行二次烧结。通过在镀减反膜之前先进行细栅的印刷和一次烧结,在镀减反膜之后进行主栅的印刷和二次烧结,测试标片在使用的过程中能够减少细栅与外界氧气的接触,避免细栅的磨损,从而降低测试标片在使用过程中的衰减,延长测试标片的使用寿命。
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池制造领域,尤其涉及一种测试标片制作方法及测试标片。
背景技术
光电转换效率是太阳能电池的重要产品指标,太阳能电池制造商会在太阳能电池片出厂前对此指标进行测试,获得的效率称为出厂效率,根据不同的出厂效率以不同的价格卖给购买商。购买商在收到产品后,也会对太阳能电池进行效率测试,所测得效率称为检验效率,如果检验效率与出厂效率不符合,便会引起制造商和购买商之间的纠纷。所以太阳能电池效率测试的准确性在光伏行业中起着十分重要的作用。
获得光电转换效率的方式如下:准备一张太阳能电池测试标片,通过调整测试机的光强、温度补偿系数等参数,使标片的测试值等于其标称效率,从而完成测试机的校准。然而,随着太阳能电池测试标片的使用次数增多,其上设置的细栅不断的磨损及氧化,标片的测试效率发生衰减,使测试效率偏离标称效率,造成测试标片的使用寿命较短。
发明内容
本发明的一个目的是提出一种测试标片制作方法,用来解决测试标片使用寿命短的问题。
本发明的另一个目的是提出一种测试标片,用来解决现有的测试标片使用寿命短的问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种测试标片制作方法,包括以下步骤:
步骤A:对硅片的双面进行制绒;
步骤B:对步骤A处理后的硅片的正面进行扩散;
步骤C:对步骤B处理后的硅片的双面进行边缘刻蚀;
步骤D:在步骤C处理后的硅片的正面印刷细栅;
步骤E:对步骤D处理后的硅片进行一次烧结;
步骤F:对步骤E处理后的硅片的正面镀减反膜;
步骤G:在步骤F处理后的硅片的背面印刷背极;
步骤H:在步骤G处理后的硅片的背面印刷背场;
步骤I:在步骤H处理后的硅片的正面印刷主栅;
步骤J:对步骤I处理后的硅片进行二次烧结。
作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤D中印刷所述细栅的浆料为非烧穿型浆料。
作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤D在印刷所述细栅的同时还印刷定位点,所述定位点用于印刷所述主栅时的定位。
作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤D中印刷的所述细栅为多条,多条所述细栅平行设置。
作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤I中印刷的所述主栅与步骤D中印刷的所述细栅相垂直。
作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤I中印刷所述主栅的浆料为烧穿型浆料。
作为一种测试标片制作方法的优选方案,步骤F中的所述减反膜为氮化硅的薄膜。
一种测试标片,应用如上所述的测试标片制作方法制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源(太仓)有限公司;太仓海润太阳能有限公司,未经奥特斯维能源(太仓)有限公司;太仓海润太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710594645.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的