[发明专利]一种环形振荡器有效
| 申请号： | 201710594986.3 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107517045B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴建东;吴为敬;姚若河 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03K3/03 | 分类号： | H03K3/03 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 环形 振荡器 | ||
1.一种环形振荡器，其特征在于，包括N级伪CMOS自举反相器，所述伪CMOS自举反相器包括自举电容(C1)及四个信号端口，所述四个信号端口分别为反相输入口(INn)、正相输入口(INp)、第一输出口(OUT1)及第二输出口(OUT2)，所述自举电容(C1)的一端连接第一输出口(OUT1)，另一端连接第二输出口(OUT2)；
所述伪CMOS自举反相器还包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)及第四晶体管(M4)，其中第一晶体管(M1)及第二晶体管(M2)构成第二反相器，第三晶体管(M3)及第四晶体管(M4)构成第一反相器；
所述第一晶体管(M1)的漏极与电源(VDD)连接，其栅极作为正相输入口(INp)，其源极与第二晶体管(M2)的漏极连接，作为第二输出口(OUT2)，输出电压为第二反相器的输出电压(VOUT2)；
第二晶体管(M2)的栅极作为反相输入口(INn)，其源极与接地端(GND)连接；
第三晶体管(M3)的漏极与电源(VDD)连接，其栅极与第一晶体管(M1)的源极连接，其源极与第四晶体管(M4)的漏极连接，同时作为第一输出口(OUT1)，其输出电压为第一反相器的输出电压(VOUT1)；
第四晶体管(M4)的栅极与第二晶体管(M2)的栅极连接，其源极与接地端(GND)连接。
2.根据权利要求1所述的一种环形振荡器，其特征在于，所述N级伪CMOS自举反相器，N为大于3的奇数，具体连接方式为：
第一级至第N-1级伪CMOS自举反相器的第一输出口(OUT1)与下一级伪CMOS自举反相器的反向输入口(INn)连接，最后第N级伪CMOS自举反相器的第一输出口(OUT1)与第一级伪CMOS自举反相器的反向输入口(INn)连接，构成环形结构；
第一级至第N-2级伪CMOS自举反相器的第二输出口(OUT2)与第N+2级伪CMOS自举反相器的正向输入口(INp)连接，第N级伪CMOS自举反相器的第二输出口(OUT2)与第二级伪CMOS自举反相器的正向输入口(INp)连接，所述第N-1级伪CMOS自举反相器的第二输出口(OUT2)与第一级伪CMOS自举反相器的正向输入口(INp)连接，构成环形结构。
3.根据权利要求1-2任一项所述的一种环形振荡器，其特征在于，晶体管为N型薄膜晶体管。
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