[发明专利]存储系统及其操作方法有效
申请号: | 201710595571.8 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN107977319B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 权正贤;李圣恩;赵上球 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 柴双;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 及其 操作方法 | ||
一种存储系统,包括:存储器件,包括多个存储块;写入操作查验单元,被配置为对各个存储块被执行的写入操作的次数进行计数;写入计数分布管理模块,被配置为基于计数的写入操作的次数来管理存储块的分布;以及耗损均衡模块,被配置为基于计数的写入操作的次数和分布来从多个存储块检测热存储块和冷存储块,其中,耗损均衡模块管理热存储块的历史以及根据管理的历史来将热存储块与冷存储块进行交换。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年10月24日提交的第10-2016-0138385号韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。
技术领域
示例性实施例涉及一种存储系统,更具体地,涉及对非易失性存储器件执行耗损均衡的存储系统及其操作方法。
背景技术
存储器件主要被分为易失性存储器件和非易失性存储器件。
易失性存储器件具有快速的写入速度和读取速度,但是当电源关断时,储存的数据丢失。易失性存储器件的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)等。非易失性存储器件具有相对较慢的写入速度和读取速度,但是储存的数据即使电源关断也被保留。因此,为了不管电源的状态如何都保留储存的数据,通常使用非易失性存储器件。非易失性存储器件的示例包括只读存储器(ROM)、掩模型ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
通常,非易失性存储器件(例如,RRAM和PCRAM)具有有限的写入耐久性。写入耐久性通常被定义为在存储块变得不可靠之前可以应用于非易失性存储器件的存储块的编程/写入循环的数量。可以通过估计多久和如何均匀使用存储单元区域来计算写入耐久性。
当写入操作集中在特定存储单元区域时,存储器件的寿命可能会突然减少。为了防止这种情况,通常执行耗损均衡操作,其将写入操作更均匀地分布在存储器件的整个单元区域上。因此,耗损均衡可以延长储存介质的写入耐久性。当数据被记录在储存介质上时,这个技术允许写入操作的更均匀分布。通过防止储存介质的特定区域被集中使用,均匀地使用储存介质的整个区域。通常,由存储器控制器执行耗损均衡操作。例如,当从主机输入对储存介质的写入请求时,存储器控制器可以参照每个存储单元的重写次数来执行并改变逻辑地址与物理地址之间的合适映射,由此控制写入操作以主要对较少使用的空存储单元执行。
发明内容
各种实施例涉及一种存储系统及其操作方法,该存储系统根据对存储块执行的写入操作的次数来对多个存储块执行耗损均衡,并且管理对存储块执行的耗损均衡的历史。
根据本发明的实施例,存储系统包括:存储器件,包括多个存储块;写入操作查验单元,被配置为对各个存储块被执行的写入操作的次数进行计数;写入计数分布管理模块,被配置为基于计数的写入操作的次数来管理存储块的分布;以及耗损均衡模块,被配置为基于计数的写入操作的次数和分布来从多个存储块检测热存储块和冷存储块,其中,耗损均衡模块管理热存储块的历史以及根据管理的历史来将热存储块与冷存储块进行交换。
根据本发明的实施例,存储系统的操作方法包括:基于对各个存储块执行的写入操作的次数来管理多个存储块的分布;基于分布来检测存储块之中的热存储块;查验检测到的热存储块的历史;当检测到的热存储块的历史处于第一状态时,将检测到的热存储块与冷存储块列表的冷存储块进行交换;以及将交换的热存储块的历史改变为第二状态。
根据本发明的实施例,存储系统的操作方法包括:在多个存储块之中,查验存储块的写入操作的次数;基于查验的写入操作的次数,当存储块包括在存储块的分布的第一上限范围内时,将存储块检测为热存储块;查验检测到的热存储块的历史;当检测到的热存储块的历史处于第一状态时,将检测到的热存储块与冷存储块列表的冷存储块进行交换;以及将交换的热存储块的历史改变为第二状态。
附图说明
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