[发明专利]测试结构、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201710595983.1 申请日: 2017-07-20
公开(公告)号: CN107393904B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 王晶;胡凌霄;王书锋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L27/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 姜春咸;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 测试 结构 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种测试结构,其特征在于,包括多个测试电容,每个测试电容包括至少部分交叠、且绝缘间隔的两层测试电极,多个测试电容围成环形结构,任意相邻两个测试电容中,其中一个测试电容的一个测试电极与另一个测试电容的一个测试电极电连接,且该两个测试电容中,相连的两个测试电极的连接处设置有插孔,用于插入测试针。

2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,对于任意两个测试电容,该两个测试电容之间设置有测试件,所述测试件与该两个相邻的测试电容中的两个相连的测试电极相连,且该两个测试电极连接处的插孔设置在所述测试件上。

3.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试电容的数量为四个,每两个所述连接处之间的距离相等。

4.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,任意两个相邻的测试电容中,相连的两个测试电极材料相同。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的测试结构,其特征在于,多个测试电容包括依次相连的第一测试电容、第二测试电容、第三测试电容和第四测试电容,

所述第一测试电容的两个测试电极分别为第一下电极和位于该第一下电极上方的第一上电极;

所述第二测试电容的两个测试电极分别为第二下电极和位于该第二下电极上方的第二上电极;

所述第三测试电容的两个测试电极分别为第三下电极和位于该第三下电极上方的第三上电极;

所述第四测试电容的两个测试电极分别为第四下电极和位于该第四下电极上方的第四上电极;

所述第一下电极与所述第二下电极相连;所述第二上电极与所述第三下电极相连;所述第三上电极与所述第四上电极相连;第四下电极与第一上电极相连。

6.根据权利要求5所述的测试结构,其特征在于,所述第一上电极、第一下电极、第二上电极、第二下电极、第三下电极、第四下电极均采用金属制成。

7.根据权利要求5所述的测试结构,其特征在于,所述第三上电极和第四上电极均采用透明导电材料制成,所述第三上电极与第四上电极连接处的测试件与所述第三上电极或第四上电极形成为一体。

8.一种阵列基板,包括衬底,该衬底包括显示区和环绕该显示区的非显示区,所述显示区形成有多类待测电容,每类待测电容包括多个待测电容,每个待测电容包括两个待测电极以及该两个待测电极之间的介电层,同一类中的多个待检测电容的介电层的厚度、材料均相同;其特征在于,所述非显示区设置有权利要求1至7中任意一项所述的测试结构,所述测试结构中的每个测试电容均对应一类所述待测电容,所述测试电容的两个测试电极分别与相应类别的待测电容的两个待测电极相对应,相对应的测试电极和待测电极的厚度、材料均相同;所述测试电容的两个测试电极之间的膜层与相应类别的待检测电容的介电层的厚度、材料均相同。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区中设置有栅金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏金属层、像素电极层、公共电极层、钝化材料层、有机材料层,以形成四类待测电容;第一类待测电容以栅金属层和源漏金属层分别作为两个待测电极、以栅极绝缘层作为介电层;第二类待测电容以栅金属层和源漏金属层分别作为两个待测电极、以栅极绝缘层和半导体层共同作为介电层;第三类待测电容以源漏金属层和公共电极层分别作为两个待测电极、以有机层作为介电层;第四类待测电容以源漏金属层和像素电极层分别作为两个待测电极、以钝化材料层作为介电层;

多个测试电容包括依次相连的第一测试电容、第二测试电容、第三测试电容和第四测试电容;所述第一测试电容对应第一类待测电容;所述第二测试电容对应第二类待测电容;所述第三测试电容对应第三类待测电容;所述第四测试电容对应第四类待测电容。

10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求8或9所述的阵列基板。

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