[发明专利]一种银和氧化硅互镶嵌的表面增强拉曼基底及其制备方法

权利要求书

1.一种银和氧化硅互镶嵌的表面增强拉曼基底，其特征在于：所述表面增强拉曼基底由纳米棒阵列组成，该纳米棒阵列中的银以纳米级的颗粒形式存在，非晶的氧化硅层均匀地包覆在银纳米颗粒表面，形成银和氧化硅互镶嵌的结构；所述银纳米颗粒是非连续的，银纳米颗粒的直径为3-8nm。

2.如权利要求1所述的一种银和氧化硅互镶嵌的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

1)将单面抛光的基片浸入清洗剂中，进行清理并进行干燥处理，然后放置在基片台上；

2)采用双电子束蒸镀系统，该系统中两个蒸发源中心距离控制在3-6cm，利用倾斜生长方法，设置电子束入射角度在86°-88°之间，在基片上同时沉积银和氧化硅；

3)控制银的沉积速率为基片台的旋转速度为0-100r/s，沉积银的速率与沉积氧化硅的速率比为5:1-1:1，得到由银和氧化硅互镶嵌的纳米棒阵列组成的表面增强拉曼基底。

3.根据权利要求2所述的一种银和氧化硅互镶嵌的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，步骤3)中银和氧化硅的沉积时间为8min-12min。

4.根据权利要求2所述的一种银和氧化硅互镶嵌的表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的基片采用硅片、石英片或光学玻璃。