[发明专利]基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计有效
| 申请号： | 201710596908.7 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109282903B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 纪小丽;张朝阳;杨琪轩;沈凡翔;黄延;段佳华;朱晨昕;司伟;闫锋 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 表面 电磁波 共振 性能 cmos 红外 辐射热 | ||
【权利要求书】：
1.基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计，包括L形微桥结构，其特征在于，微桥结构单元包括桥墩、桥臂和红外吸收体，红外吸收体为多层结构，自上而下依次为氮化硅层、金属光栅层、二氧化硅层、蛇形铝热敏电阻层和二氧化硅层；所述氮化硅层的厚度为0.6μm；所述金属光栅层的周期为6μm，光栅的宽度为2.5μm，厚度为2.17μm；位于所述金属光栅层下面的二氧化硅层的厚度为1μm；所述蛇形铝热敏电阻层的厚度为0.53μm，蛇形铝的宽度为0.4μm，间隔为0.4μm；位于所述蛇形铝热敏电阻层下面的二氧化硅层厚度为0.85μm。
2.根据权利要求1所述的基于表面电磁波共振的高性能CMOS红外微测辐射热计，其特征在于，所述金属光栅层的材料为铝。
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