[发明专利]一种逆导FS‑IGBT的制备方法

权利要求书

1.一种逆导FS-IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.在一块N型半导体硅片(1)上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(2)，厚度6um，注入剂量10¹³～10¹⁴个/cm2，退火温度1150～1200℃，退火时间90～300分钟；

b.在a步所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质，注入剂量为10¹²～10¹³个/cm2，退火温度450℃，退火时间30～90分钟使其在表面形成P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构，推结深度约为1-2um；

c.在b步所形成的P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构上淀积厚度1um的二氧化硅层(5)；

d.另取一块N型或P型硅片(6)，与c步形成二氧化硅层表面键合，使两个硅片键合在一起，键合温度300～1100℃，定义另取的硅片未键合一侧表面为背面，原硅片未键合一侧为正面；

e.翻转硅片，减薄硅片至设计厚度，并在减薄后的表面上完成IGBT正面工艺：包括：形成栅氧化层(7)、多晶硅层(8)、P阱(9)、N+发射区(10)、BPSG层(11)及正面金属层(12)；

f.翻转硅片，减薄硅片背面至氧化层，使用湿法刻蚀完全去除背面氧化层，并对裸露出的P型区(3)与N型区(4)相互交替排列的结构进行适当减薄清洗，随后淀积背面金属层，形成集电极(13)。

2.根据权利要求1所述的一种低压逆导FS-IGBT的制备方法，其特征在于，工艺第b步中，为保证所形成的P型区与N型区与后续步骤中淀积的金属层形成良好的欧姆接触，N型半导体硅片(1)表面掺杂浓度约为10¹⁸～10¹⁹个/cm³。