[发明专利]一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，P型区结构(7)的截面形状为倒T形，位于假栅沟槽结构(3)底部，并且倒T形两端包裹住所述沟槽结构(3)的底部，所述假栅沟槽结构(3)的截面形状为与所述P型区结构(7)相配合的Π形。

2.如权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P型区结构(7)是高掺杂的P型半导体，掺杂浓度为1e¹⁵-1e¹⁷。

3.如权利要求2所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述高掺杂的P型半导体采用的材料为硼。

4.如权利要求2所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述P型区结构(7)位于绝缘栅双极型晶体管的N^-漂移区(1)内。

5.如权利要求4所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的P⁺集电极(6)为电场终止结构、透明阳极结构或阳极短路结构。

6.如权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的半导体材料采用硅、碳化硅、砷化镓或氮化镓。

7.如权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管还包括：位于所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管顶端的正面金属(5)。

8.如权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管还包括：位于所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管底端的背面P⁺集电极(6)。

9.如权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管还包括：位于假栅沟槽结构(3)两侧的P阱区(2)。

10.如权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述沟槽型绝缘栅双极型晶体管还包括：分别与P阱区(2)、假栅沟槽结构(3)和正面金属(5)相邻的N⁺源极(4)。