[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

本发明的实施例提供一种形成半导体器件的方法，包括在半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成伪栅极堆叠件，并且形成间隔件层。间隔件层包括位于伪栅极堆叠件的侧壁上的第一部分、和位于半导体鳍的一部分的顶面和侧壁上的第二部分。方法还包括在间隔件层上执行注入。在注入之后，执行退火。退火之后，蚀刻间隔件层的第二部分，其中，在蚀刻之后，保留间隔件层的第一部分。在半导体鳍的侧部上形成源极/漏极区域。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及形成半导体器件的方法。

背景技术

IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC，其中，每代IC都具有比上一代IC更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可产生的最小组件或线)有所降低。该按比例缩小工艺通常因提高生产效率和降低相关成本而提供益处。

这种按比例缩小工艺还增加了处理和制造IC的复杂性并且，为了实现这些进步，需要IC处理和制造方面的相似发展。例如，已经引入诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管代替平面晶体管。尽管现有的FinFET器件以及制造FinFET器件的方法一般能够满足它们预期的目的，但是它们不能在所有方面都完全令人满意。期望在此领域有所改进。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成伪栅极堆叠件；形成间隔件层，包括：位于所述伪栅极堆叠件的侧壁上的第一部分；和位于所述半导体鳍的一部分的顶面和侧壁上的第二部分；在所述间隔件层上执行注入；在所述注入之后，执行退火；所述退火之后，蚀刻所述间隔件层的第二部分，其中，在所述蚀刻之后，保留所述间隔件层的第一部分；以及在所述半导体鳍的侧部上形成源极/漏极区域。

本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍的中间部分的顶面和侧壁上形成伪栅极堆叠件；形成间隔件层包括：位于所述伪栅极堆叠件的侧壁上的第一部分；和位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上的第二部分；非晶化所述半导体鳍的顶部部分，其中，所述间隔件层覆盖所述半导体鳍的非晶化的顶部部分；再结晶所述非晶化的顶部部分；蚀刻所述间隔件层的第二部分，其中，在所述蚀刻之后，保留所述间隔件层的第一部分；以及在所述半导体鳍的侧部上形成源极/漏极区域。

本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍上方形成栅极堆叠件，其中，所述栅极堆叠件覆盖所述半导体鳍的中间部分，并且暴露所述半导体鳍的一部分；在所述栅极堆叠件和所述半导体鳍上形成毯式介电层，其中，所述毯式介电层包括：位于所述半导体鳍的顶面和侧壁上的鳍部分；位于所述栅极堆叠件的侧壁上的侧壁部分；利用掺杂剂注入所述鳍部分；执行退火；以及执行各向同性蚀刻以去除所述毯式介电层的鳍部分，其中，在所述各向同性蚀刻之后，保留所述毯式介电层的侧壁部分。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1至图11是根据一些示例性实施例的鳍式场效应晶体管(FinFET)的形成的中间阶段的截面图和立体图；

图12示出了根据一些实施例的用于形成FinFET的工艺流程。

具体实施方式