[发明专利]半导体装置与半导体装置形成方法

说明书

一种半导体装置，包括：金属硅化物区域，形成于半导体材料中，金属硅化物区域包括第一材料及第二材料，第一材料包括金属，第二材料包括氯、氟或其组合，金属硅化物区域的最上部有具有第一浓度的第二材料；盖层，于金属硅化物区域及接触栓塞开口的侧壁上；以及接触栓塞，形成于盖层之上，填充接触栓塞开口。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，且特别涉及可降低鳍式场效晶体管的源极/漏极区上形成的接点电阻的一种半导体装置。

背景技术

随着对集成电路的微缩化以及集成电路速度的要求越来越高，晶体管需要有较高的驱动电流以及越来越小的尺寸，因而发展了鳍式场效晶体管(Fin Field-EffectTransistors，FinFET)。鳍式场效晶体管包括基板上方垂直的半导体鳍片。半导体鳍片用于形成源极和漏极区域，并且在源极和漏极区域之间形成沟道区。形成浅沟槽隔离(ShallowTrench Isolation，STI)区域以定义半导体鳍片。鳍式场效晶体管还包括形成于半导体鳍片的侧壁及顶表面上的栅极堆叠。虽然现有的鳍式场效晶体管装置及其制造方法通常已经足以满足其预期目的，但还没有在所有方面都完全令人满意。

由于随着技术和制造使半导体的其他方面微缩化，使得可用于产生接点(contact)的总面积也跟着微缩化，所以低电阻接点越来越重要。

发明内容

在一些实施例中，本公开公开了一种半导体装置，包括：金属硅化物区域，形成于半导体材料中，金属硅化物区域包括第一材料及第二材料，第一材料包括金属，第二材料包括氯、氟或其组合，金属硅化物区域的最上部有具有第一浓度的第二材料；盖层，于金属硅化物区域及接触栓塞开口的侧壁上；以及接触栓塞，形成于盖层之上，填充接触栓塞开口。

在另一些实施例中，本公开公开了一种半导体装置，包括：鳍式场效晶体管，具有第一栅极结构及第二栅极结构，每个第一栅极结构及第二栅极结构各自包括第一栅极间隔物及第二栅极间隔物，每个第一栅极间隔物与每个第二栅极间隔物分离；源极/漏极区，介于第一栅极结构及第二栅极结构间；接点，包括：侧壁，包括第一金属材料，第一金属材料与第一栅极的第一栅极间隔物及第二栅极的第二栅极间隔物重合；底部，包括于源极/漏极区的顶表面上的金属硅化物；栓塞，介于接点的侧壁间及接点的底部上，栓塞包括导电材料；盖层，介于栓塞及金属硅化物间；其中金属硅化物延伸至第一栅极结构的第一栅极间隔物及第二栅极结构的第二栅极间隔物下。

在又一些实施例中，本公开公开了一种半导体装置形成方法，包括：于第一栅极及第二栅极间形成开口；清洗开口；以第一材料轰击开口的底部，从而于第一材料及接触区域的顶表面间引发化学反应；于开口中沉积金属层；于金属层上沉积盖层；于接触区域的顶表面生成金属硅化物；以及于生成金属硅化物后，于开口中沉积金属栓塞。

附图说明

以下将配合所附附图详述本公开的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

图1是鳍式场效晶体管范例的三维视图。

图2-图9是根据一些实施例绘示在不同显影阶段的鳍式场效晶体管的范例。

图10是根据一些实施例绘示的流程图。

图11是根据一些实施例绘示的源极/漏极接点的金属硅化物区域的化学指数图。

附图标记说明：

30～鳍式场效晶体管

32～基板

34～隔离区

36～鳍片

38～栅极介电质

40～栅极电极

42、43、44～源极/漏极区