[发明专利]一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法

权利要求书

1.一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：将油溶性硫系半导体量子点分散于有机溶剂中，得到硫系半导体量子点溶液；然后将所述硫系半导体量子点溶液与一定浓度的氧化剂水溶液混合，形成油水界面层，利用氧化剂水溶液将硫系半导体量子点表面的硫离子原位氧化为高价态硫酸根离子或亚硫酸根，同时表面疏水基团油胺从量子点表面解离，使硫系半导体量子点能够溶于水中。

2.根据权利要求1所述的一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：其具体步骤如下：

1) 将油溶性硫系半导体量子点分散于正己烷溶液中，得到的硫系半导体量子点正己烷溶液中硫系半导体量子点的浓度为1-5×10^-3mmol/L；

2）加入与正己烷溶液等体积的 0.5mol/L 硝酸溶液，在转速150-200r/min下缓慢反应0.5-5h。

3.根据权利要求2所述的一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：所述油溶性硫系半导体量子点为CdS量子点，所述步骤2）的反应时间为3h。

4.根据权利要求2所述的一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：所述油溶性硫系半导体量子点为MnS量子点，所述步骤2）的反应时间为1h。

5.根据权利要求2所述的一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：所述油溶性硫系半导体量子点为CuS量子点，所述步骤2）的反应时间为4h。

6.根据权利要求2所述的一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：所述油溶性硫系半导体量子点为CdSe量子点，所述步骤2）的反应时间为2h。

7.根据权利要求2所述的一种油溶性硫系半导体量子点的水溶化方法，其特征在于：所述油溶性硫系半导体量子点的制备方法为：将金属氯化物溶解在油胺中形成金属-油胺复合物；将硫元素溶解在油胺中得到含硫油胺溶液，然后加入上述金属-油胺复合物，所得混合溶液在加热条件下生成金属硫化物纳米粒子，即油溶性硫系半导体量子点。