[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

第一掺杂类型的半导体衬底；

位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；

第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；

第一掺杂类型的掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；

第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及

导电通道，在所述第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述半导体衬底中。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括位于所述外延层上的绝缘层。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极位于所述半导体衬底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二隔离岛围绕所述第一隔离岛。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。

6.一种瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，包括：

在第一掺杂类型的半导体衬底的第一表面上，形成第二掺杂类型的外延层，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；

形成第一掺杂类型的隔离区，所述隔离区从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；

形成第一掺杂类型的掺杂区，所述掺杂区分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；以及

形成第一电极和导电通道极，所述第一电极将各所述掺杂区彼此电连接，所述导电通道在所述第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述半导体衬底中。

7.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一掺杂区的步骤后还包括：

在所述外延层上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成多个开口，所述掺杂区以及所述外延层位于所述第二隔离岛的部分分别经由所述开口裸露在外。

8.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，还包括在所述半导体衬底的第二表面上形成第二电极，所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

9.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，所述第二隔离岛围绕所述第一隔离岛。

10.根据权利要求6所述的瞬态电压抑制器的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为N型或P型，所述第二掺杂类型为N型或P型中的另一个。