[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201710601592.6 | 申请日: | 2017-07-21 |
公开(公告)号: | CN107403810B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 汪祥;章祯;周如 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法和显示装置,涉及显示技术领域。本发明通过在基板上形成多个栅线组和多条数据线,以及阵列排布的多个像素单元,每个所述栅线组包括绝缘设置的第一栅线和第二栅线,且所述第一栅线和所述第二栅线在所述基板上的正投影层叠排布。通过将阵列基板中的双栅线设置成层叠排布,即可减少一根栅线的宽度与栅线间的间距,有效降低栅线所占用的面积,增大阵列基板的开口率,进而实现透过率的提高。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,各种降低成本的驱动技术被广泛应用于显示装置中,其中,Dual gate(双栅)技术作为一种可以降低产品成本的技术,得到人们的广泛重视。
Dual gate技术是将显示面板的数据线的数量减少一半,栅线的数量增加一倍的驱动技术,即将与数据线连接的源极驱动IC(Integrated Circuit,集成电路)的数量减半,将与栅线连接的栅极驱动IC的数量加倍,因为栅极驱动IC的单价比源极驱动IC的单价便宜,从而可实现成本的降低。
目前,Dual gate技术中栅线采用同层并行布线的方式,两根并行的栅线宽度与栅线间的间距会占用较多的面积,使得阵列基板的开口率降低,进而影响阵列基板的透过率。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置,以解决现有Dual gate技术中栅线采用同层并行布线的方式导致阵列基板的开口率和透过率低的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种阵列基板,包括形成在基板上的多个栅线组和多条数据线,以及阵列排布的多个像素单元,每个所述栅线组包括绝缘设置的第一栅线和第二栅线,且所述第一栅线和所述第二栅线在所述基板上的正投影层叠排布。
优选地,所述第一栅线与所述第二栅线之间设置有有机膜层。
优选地,所述有机膜层的材料为树脂材料。
优选地,相邻的两行像素单元之间设置有所述第一栅线和所述第二栅线。
优选地,每一行的像素单元包括多个像素单元组,所述像素单元租包括第一像素单元和第二像素单元,且所述第一像素单元和所述第二像素单元共用一条数据线。
优选地,所述第一像素单元的薄膜晶体管与所述第一栅线连接,所述第二像素单元的薄膜晶体管与所述第二栅线连接。
优选地,所述第一栅线设置在所述有机膜层靠近所述基板的一侧,所述第二栅线设置在所述有机膜层远离所述基板的一侧;在所述第一像素单元的薄膜晶体管的位置,还包括与所述第二栅线同层形成的第一栅极连接线,所述第一栅线通过过孔连接至所述第一栅极连接线。
优选地,还包括:
在所述第二栅线上依次形成的栅绝缘层、有源层、数据线、漏极、公共电极、第一电极层、钝化层以及第二电极层。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示装置,包括上述的阵列基板。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种阵列基板的制备方法,包括:
在基板上形成第一栅线;
在所述基板和所述第一栅线上形成有机膜层;
在所述有机膜层上形成第二栅线;所述第一栅线和所述第二栅线在所述基板上的正投影层叠排布。
优选地,所述在所述有机膜层上形成第二栅线的步骤,包括:
对所述有机膜层进行过孔刻蚀;
在所述有机膜层上形成第二栅线和第一栅极连接线;所述第一栅线通过过孔连接至所述第一栅极连接线,所述第一栅极连接线位于与所述第一栅线连接的薄膜晶体管的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的